容量：16 Mbit
　　组织结构：1M x 16
　　工作电压：3.3V ± 0.3V
　　访问时间：40 ns
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：48-pin TSOP II 或 48-ball FBGA
　　输入/输出逻辑电平：LVTTL 兼容
　　电源电流（工作）：典型值 90 mA
　　电源电流（待机）：典型值 20 μA
　　数据保持电压：≥ 2.0 V
　　写入保护：片内写使能/禁止控制
　　总线结构：三态输出，支持总线共享

UT51C161JC-40具备卓越的高速存取能力，其典型访问时间为40纳秒，能够满足高速微处理器、DSP或其他控制器对快速数据响应的需求。在突发数据传输或实时处理系统中，这种低延迟特性可以显著提升系统整体性能。该SRAM采用全静态设计，无需刷新操作，简化了系统设计复杂度并降低了功耗开销。其内部电路经过优化，在保持高速运行的同时有效控制了动态功耗，特别适合便携式设备或远程终端等依赖电池供电的应用场景。
　　该器件支持低功耗待机模式，当片选信号（CE）为高电平时自动进入低功耗状态，此时电源电流可降至20μA以下，极大延长了系统的续航时间。与此同时，其LVTTL兼容的输入输出接口确保了与多种逻辑器件的无缝对接，无需额外电平转换电路即可直接连接到主流处理器或FPGA。这种兼容性不仅降低了BOM成本，也提高了系统设计的灵活性。
　　UT51C161JC-40在抗噪性能方面表现出色，采用了差分时钟缓冲和内部去耦技术，有效抑制高频噪声对存储单元的干扰。其地址与数据路径经过精心布线优化，减少信号反射和串扰，保证在高频率下仍能稳定读写数据。此外，该芯片具备强大的环境适应能力，可在-40°C至+85°C的宽温范围内可靠工作，适用于工业自动化、车载电子、户外通信基站等严苛环境下的应用。
　　从可靠性角度看，UT51C161JC-40集成了多重保护机制，包括上电复位电路、电压监控模块和ESD防护（HBM > 2000V），防止因异常供电或静电放电导致的数据损坏或器件失效。所有引脚均具备高达2kV的人体模型静电防护能力，增强了生产装配过程中的安全性。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅、镉等有害物质，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色制造趋势。

UT51C161JC-40广泛应用于需要中等容量、高速度和低功耗特性的嵌入式系统中。常见用途包括网络路由器、交换机和防火墙等通信设备中的数据缓存存储，用于临时存放报文、路由表或会话信息，以提高数据吞吐效率。在工业控制系统中，该SRAM可用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）或运动控制器中作为程序缓冲区或实时变量存储区，确保控制指令的快速响应与执行。
　　在消费类电子产品领域，UT51C161JC-40被用于高清电视、机顶盒、数字录像机等设备中，配合主控SoC实现图像帧缓冲或音频数据暂存。由于其16位数据宽度与多数多媒体处理器匹配良好，因此在音视频处理流水线中发挥重要作用。此外，在医疗设备如便携式监护仪、超声成像系统中，该芯片可用于存储采集到的生理信号或中间处理结果，保障数据完整性与时效性。
　　在测试测量仪器中，例如示波器、频谱分析仪或逻辑分析仪，UT51C161JC-40常被用作高速采样数据的临时存储单元，支持连续采集与回放功能。其稳定的读写时序和低访问延迟使得仪器能够在高采样率下长时间运行而不丢失关键数据。对于军事和航空航天领域的一些非极端环境应用，该SRAM也可作为辅助存储器使用，尤其是在需要快速启动和确定性响应的场合。
　　此外，UT51C161JC-40还适用于各类基于FPGA或DSP的开发平台，作为外部扩展RAM使用，弥补片内存储资源不足的问题。开发者可通过简单的地址译码电路将其接入系统总线，快速搭建原型验证环境。由于其接口标准化程度高，配套参考设计丰富，大大缩短了产品开发周期。