时间：2025/12/27 9:04:16
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UT48N12是一款由UTC（友顺科技）推出的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及开关电源等高效率功率转换场合。该器件采用先进的沟槽技术制造，能够在低电压应用中实现极低的导通电阻和优异的开关性能，从而显著降低系统功耗并提升整体能效。UT48N12的设计注重热稳定性和可靠性，适用于需要持续高电流负载能力的应用场景。其封装形式通常为TO-252（DPAK），具备良好的散热性能，适合在紧凑型电源设计中使用。由于其出色的电气特性和成本效益，UT48N12已成为许多工业控制、消费电子及通信设备中的主流选择之一。该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，满足现代电子产品对绿色环保的要求。此外，UT48N12内置了快速体二极管，有助于在感性负载切换过程中提供反向电流通路，减少电压尖峰带来的潜在损害。总体而言，UT48N12是一款高性能、高性价比的功率MOSFET，在中低压大电流应用场景中表现出色。
型号：UT48N12
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压Vds：120V
栅源电压Vgs：±20V
连续漏极电流Id（@25℃）：48A
脉冲漏极电流Idm：192A
导通电阻Rds(on)（max @ Vgs=10V）：12mΩ
导通电阻Rds(on)（max @ Vgs=4.5V）：16mΩ
阈值电压Vgs(th)：2.0~4.0V
输入电容Ciss：3600pF（@Vds=25V）
输出电容Coss：950pF（@Vds=25V）
反向恢复时间trr：30ns
工作结温范围Tj：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-252 (DPAK)
UT48N12采用先进的沟槽式场效应晶体管结构，这种设计能够有效降低单位面积下的导通电阻，从而在相同封装条件下实现更高的电流承载能力和更低的能量损耗。其最大导通电阻在Vgs=10V时仅为12mΩ，这意味着在大电流工作状态下，器件本身的功率损耗非常小，有利于提高电源系统的整体效率并减少散热需求。同时，在栅极驱动电压为4.5V时仍能保持16mΩ的低Rds(on)，这使其兼容3.3V或5V逻辑电平驱动电路，适用于由控制器或PWM IC直接驱动的应用场景，无需额外的电平转换或驱动芯片。
该器件具有较高的漏源击穿电压（120V），可在中压功率转换环境中稳定运行，如电动工具、LED驱动电源、太阳能逆变器和电池管理系统等。其高达48A的连续漏极电流能力表明其可承受较重的负载，特别适合用于大功率DC-DC变换器或同步整流拓扑结构中作为主开关或整流元件。此外，UT48N12具备较低的输入和输出电容，有助于减少开关过程中的充放电能量损失，从而提升高频工作的效率，并降低电磁干扰（EMI）的风险。
热稳定性方面，UT48N12的工作结温范围宽达-55℃至+150℃，可在恶劣环境温度下可靠运行。TO-252封装不仅提供了良好的机械强度，还通过底部焊盘增强了与PCB之间的热传导，便于热量快速散发。集成的快速体二极管具有30ns的反向恢复时间，减少了在感性负载关断时产生的反向恢复电荷，抑制了电压振荡和尖峰，提升了系统安全性。综合来看，UT48N12在导通性能、开关速度、热管理和可靠性之间实现了良好平衡，是一款适用于多种高要求功率应用的理想选择。
UT48N12广泛应用于各类中高功率电子系统中，尤其适用于需要高效能、低损耗功率开关的场合。常见应用包括开关模式电源（SMPS）、同步整流降压（Buck）或升压（Boost）转换器、直流电机驱动电路、电动自行车控制器、UPS不间断电源以及工业自动化设备中的电源模块。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件常被用作主功率开关或同步整流管，以替代传统二极管实现更高效率的能量转换。
在电池供电系统中，例如便携式医疗设备、电动工具和储能系统中，UT48N12可用于电池保护电路中的充放电控制开关，利用其低Rds(on)减少内部压降和发热，延长电池续航时间。此外，在LED照明驱动电源中，该MOSFET可作为初级侧开关管，配合控制器实现恒流输出，确保光源稳定工作。
在汽车电子领域，尽管并非车规级器件，但UT48N12仍可用于部分车载辅助电源系统或后装市场产品中，如车载逆变器、充电器等。其快速开关特性和较强的抗浪涌能力也使其适用于马达启停控制、电磁阀驱动等瞬态负载较大的应用。总之，凡是在120V以下电压范围内需要高效、大电流开关功能的场合，UT48N12均是一个极具竞争力的解决方案。
FQP48N12, STP48N12F4, IRF48N12KPbF, AP48N12GH
