型号：UT4446L-S08-R
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装形式：SOP-8
　　漏源电压VDS：30V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID（@25°C）：18A
　　脉冲漏极电流IDM：72A
　　导通电阻RDS(on)（@VGS=10V）：4.6mΩ
　　导通电阻RDS(on)（@VGS=4.5V）：6.0mΩ
　　阈值电压VGS(th)：1.0V ~ 2.0V
　　栅极电荷Qg（@VGS=10V）：19nC
　　输入电容Ciss：920pF
　　输出电容Coss：230pF
　　反向恢复时间trr：未内置体二极管快恢复
　　工作结温范围Tj：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围Tstg：-55°C ~ +150°C

UT4446L-S08-R具备出色的电气性能和热管理能力，其核心优势在于低导通电阻与高电流承载能力的结合，这使得它在大电流、低电压的应用场景中表现尤为突出。器件的RDS(on)在VGS=10V时仅为4.6mΩ，在同类产品中处于领先水平，有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了电源系统的整体效率。同时，该MOSFET在VGS=4.5V时也能实现6.0mΩ的低导通电阻，表明其具备良好的低压驱动兼容性，适用于由逻辑电平信号直接驱动的场合，如由微控制器或PWM控制器直接控制的开关电路。
　　该器件采用了优化的芯片结构设计，显著降低了栅极电荷（Qg=19nC）和输入电容（Ciss=920pF），从而减少了开关过程中的驱动能量需求，特别适合用于高频DC-DC变换器中，有助于减小磁性元件体积并提高功率密度。此外，其快速的开关响应能力也降低了开关损耗，进一步增强了系统的能效表现。
　　UT4446L-S08-R的SOP-8封装不仅节省PCB空间，还通过外露散热焊盘设计实现了优异的热传导性能，允许器件在较高环境温度下持续工作。内部芯片与封装之间的低热阻设计确保了热量能够高效传递至PCB，延长了器件寿命并提高了系统可靠性。该MOSFET还具备较强的抗雪崩能力和过载耐受性，能够在瞬态过压或短路情况下维持一定时间的安全运行，增强了系统的鲁棒性。
　　此外，器件符合工业级和消费类电子产品的可靠性标准，支持自动贴片生产工艺，适合大规模自动化生产。其无铅、无卤素的设计也满足现代电子产品对环保法规的要求，广泛应用于笔记本电脑、移动设备、通信模块及工业控制设备中的电源管理单元。

UT4446L-S08-R广泛应用于多种高效率、高密度的电源管理系统中。典型应用场景包括同步整流式DC-DC降压变换器（Buck Converter），在这些电路中作为下管或上管使用，利用其低RDS(on)特性减少导通损耗，提高转换效率。在便携式电子设备如智能手机、平板电脑和超极本中，该器件常用于电池供电路径的负载开关或电源切换电路，实现低静态功耗和快速响应控制。
　　此外，它也适用于电机驱动电路中的低端开关，驱动小型直流电机或步进电机，得益于其高电流承载能力和快速开关特性，能够有效降低发热并提升响应速度。在LED驱动电源中，UT4446L-S08-R可用于恒流调节回路中的开关元件，配合电感和控制IC实现高效稳定的亮度控制。
　　工业控制领域中，该MOSFET可作为继电器替代方案用于固态开关设计，提供更长的使用寿命和更高的可靠性。同时，在热插拔控制器、USB电源管理、适配器次级侧同步整流等应用中也有广泛应用。由于其良好的热稳定性和封装兼容性，UT4446L-S08-R也成为许多工程师在设计紧凑型电源模块时的首选器件之一。

AO4446, FDS4446B, SI4446DY, NVMFS4446NL