时间：2025/12/27 8:39:28
阅读：17
UT4446-H是一款由UTC（友顺科技）推出的高效率、高精度的同步整流电流模式PWM控制器，主要用于反激式（Flyback）电源拓扑结构中，适用于低功率至中等功率的AC-DC电源适配器、充电器和内置电源（Internal Power Supply）等应用。该芯片集成了多项先进功能，旨在提升电源系统的整体能效，同时降低待机功耗，满足国际能源标准如CoC Tier 2、DoE Level VI以及Energy Star等环保规范要求。UT4446-H采用电流模式控制架构，具备快速的负载响应能力和良好的线性调整率。其内部集成了高压启动电路，可在上电时迅速为VDD电容充电，实现快速启动。此外，芯片支持宽范围的输入电压，适用于全球通用的交流输入环境（85VAC~265VAC）。为了优化系统效率，UT4446-H引入了智能同步整流技术，通过检测功率MOSFET的漏源极电压（VDS）来精确判断关断时机，从而有效减少体二极管导通损耗，提高转换效率。芯片还具备多种保护机制，包括过载保护（OLP）、过压保护（OVP）、欠压锁定（UVLO）、过温保护（OTP）以及前沿消隐（Leading Edge Blanking, LEB）等功能，确保系统在各种异常工况下安全可靠运行。封装方面，UT4446-H通常采用SOP-8或DIP-8小型化封装，便于PCB布局与散热设计，适合高密度电源产品的需求。
工作电压范围：10V ~ 20V
启动电流：≤5μA
最大占空比：约65%
振荡频率：典型65kHz
电流检测阈值：典型0.6V
同步整流驱动方式：高端浮动驱动
封装形式：SOP-8 或 DIP-8
工作温度范围：-40°C ~ +125°C
输出驱动能力：200mA source / 400mA sink
UT4446-H的核心优势在于其高效的同步整流控制算法与高度集成的安全保护机制。该芯片采用专有的VDS检测技术，能够精准识别同步整流MOSFET的导通与关断时机，避免误触发导致的短路风险。在轻载或空载条件下，芯片自动进入突发模式（Burst Mode），显著降低开关损耗和驱动损耗，从而实现极低的待机功耗，通常可控制在30mW以下，满足最严格的节能标准。此外，UT4446-H具备自适应死区时间控制功能，可根据系统工作状态动态调节上下管的关断间隔，防止共态导通的同时最大化同步整流的导通时间，进一步提升效率。
在抗干扰能力方面，UT4446-H内置前沿消隐电路，有效抑制功率MOSFET开通瞬间产生的电流尖峰对电流检测信号的影响，避免误触发过流保护，提升系统稳定性。芯片还支持软启动功能，在启动过程中逐步建立输出电压，防止冲击电流对输入端造成影响。过温保护（OTP）为打嗝模式（Hiccup Mode），当芯片温度超过设定阈值时自动关闭输出，待温度下降后自动恢复运行，增强系统可靠性。过压保护通过监测反馈引脚电压实现，一旦反馈回路失效导致输出电压异常升高，芯片将立即切断驱动信号。所有保护机制均具备自动恢复或锁死可选设计，适应不同应用场景的安全需求。整体而言，UT4446-H在效率、可靠性与集成度之间实现了良好平衡，是现代高效绿色电源设计的理想选择。
UT4446-H广泛应用于各类中小功率开关电源系统中，尤其适用于对能效和待机功耗有较高要求的产品。典型应用包括手机、平板电脑、蓝牙耳机等消费类电子设备的充电器；笔记本电脑、显示器、路由器等设备的外置适配器；智能家居设备如智能音箱、摄像头、门铃的内置电源模块；以及工业传感器、IoT终端设备的低压直流供电单元。由于其出色的轻载效率表现，该芯片特别适合用于需要长时间待机的设备电源设计，例如电视、机顶盒、音响系统等家电产品的辅助电源（Standby Power Supply）。此外，UT4446-H也可用于LED照明驱动电源，在保证高效率的同时满足电磁兼容性（EMC）要求。其简洁的外围电路设计降低了整体BOM成本，有助于制造商缩短开发周期并提升产品竞争力。结合同步整流MOSFET使用时，可构建出无需光耦的原边反馈（PSR）或副边反馈（SSR）电源方案，适用于隔离型反激变换器拓扑。得益于其高集成度与稳定性能，UT4446-H已成为众多电源设计方案中的主流同步整流控制器之一。
APSR166H
INN3264C
SG6060A
FSR1001
