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MB60VH658PR-G 发布时间 时间:2025/12/28 9:02:10 查看 阅读:13

MB60VH658PR-G是一款由Rohm Semiconductor(罗姆半导体)生产的600V、65A的高效率超快恢复整流二极管,采用TO-247AC封装。该器件专为高电压、大电流开关电源应用设计,适用于工业电源、逆变器、电机驱动和各类高功率转换系统。其主要特点包括低正向压降、快速反向恢复时间和高可靠性,能够显著提升系统的整体能效并降低热损耗。该二极管采用先进的平面结构和平滑终端技术,确保在高压环境下具有稳定的击穿特性和优异的雪崩耐受能力。此外,MB60VH658PR-G符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,适合现代绿色电子制造需求。器件的高结温(Tj最大为150°C)使其可在高温环境中稳定运行,增强了在恶劣工况下的适用性。
  该型号中的“MB”代表多芯片模块二极管,“60”表示额定电流为60A,“VH”代表超快恢复特性,“658”为产品系列编号,“PR”表示特定的电气规格等级,而“-G”通常表示无铅(Lead-Free)版本。由于其出色的动态性能和热稳定性,MB60VH658PR-G广泛用于PFC(功率因数校正)电路、DC-DC转换器以及UPS不间断电源等高要求场合。

参数

类型:超快恢复整流二极管
  最大重复峰值反向电压(VRRM):600V
  最大平均正向整流电流(IF(AV)):60A
  峰值非重复浪涌电流(IFSM):658A(@8.3ms半正弦波)
  最大正向压降(VF):1.75V(@IF=60A, TJ=25°C)
  反向恢复时间(trr):35ns(典型值)
  最大反向漏电流(IR):1.0mA(@VR=600V, TJ=25°C)
  工作结温范围(TJ):-40°C 至 +150°C
  存储温度范围(Tstg):-40°C 至 +150°C
  封装形式:TO-247AC
  极性:单二极管
  引脚数:2

特性

MB60VH658PR-G具备卓越的电气和热性能,其核心优势在于超快的反向恢复时间(trr典型值仅为35ns),这一特性极大地减少了开关过程中的能量损耗,尤其适用于高频开关电源环境。在高频率下工作的功率转换系统中,传统的整流二极管由于较长的反向恢复时间会导致严重的反向恢复电流尖峰,从而增加开关管的应力并引发电磁干扰问题。而MB60VH658PR-G通过优化PN结结构和载流子寿命控制技术,有效抑制了反向恢复电荷(Qrr),实现了更平滑的电流关断过程,降低了EMI噪声并提高了系统效率。
  该器件还具有较低的正向导通压降(VF max 1.75V @60A),这有助于减少导通状态下的功率损耗,提升整体能效表现。即使在满载条件下,其温升也相对较低,配合良好的散热设计可实现长时间稳定运行。此外,MB60VH658PR-G拥有高达658A的非重复浪涌电流承受能力,能够在输入端出现瞬态过流或启动冲击时提供可靠的保护,增强系统鲁棒性。
  从可靠性角度看,该二极管采用高纯度硅材料与先进封装工艺制造,具备优良的热循环耐久性和机械强度。TO-247AC封装不仅提供了较大的散热面积,还支持螺钉固定安装,便于集成到大型散热器上,适用于高功率密度设计。器件满足AEC-Q101汽车级可靠性认证的部分要求,虽非车规专用,但其质量体系严格,广泛应用于工业与能源领域。内置的钝化层和表面保护结构提升了抗湿性和抗污染能力,进一步延长了使用寿命。

应用

MB60VH658PR-G主要应用于需要高效、高可靠性的电力电子系统中。其典型应用场景包括工业用开关模式电源(SMPS),特别是在大功率服务器电源、通信电源和工业控制电源中作为输出整流或续流二极管使用。在功率因数校正(PFC)电路中,该器件常被用于升压型PFC拓扑的输出整流部分,利用其快速恢复特性减少与主开关管之间的交叉导通损耗,提高功率因数并降低总谐波失真(THD)。
  在太阳能逆变器和风力发电变流器中,MB60VH658PR-G可用于直流母线侧的整流模块或辅助电源整流环节,凭借其高耐压和强抗浪涌能力应对复杂的电网环境。此外,在不间断电源(UPS)系统中,该二极管可作为电池充放电回路中的隔离元件或逆变桥臂的续流路径,保障系统在市电中断时的平稳切换。
  电机驱动器和变频器也是其重要应用领域,尤其是在三相逆变桥的续流支路中,它能够快速吸收感性负载产生的反电动势,防止电压尖峰损坏IGBT等开关器件。同时,该器件也适用于电焊机、激光电源、医疗设备电源等对安全性和稳定性要求较高的高端工业设备中。其宽泛的工作温度范围和高结温能力使其在封闭式或高温环境下依然保持良好性能。

替代型号

MB60VH658AR-G
  MBR60V60CT

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