UT4422G-S08-R 时间：2025/12/27 7:14:30 阅读：12

UT4422G-S08-R是一款由UTC（友顺科技）推出的高效率同步整流控制器，专为反激式（Flyback）电源转换器设计，适用于适配器、充电器和开放式电源等低功率离线式开关电源应用。该芯片采用先进的同步整流技术，能够有效替代传统的肖特基二极管整流方案，显著降低整流损耗，提高系统整体能效，满足各类能效标准如DoE VI级、Energy Star及CoC Tier 2等要求。UT4422G-S08-R支持高侧和低侧同步整流MOSFET的驱动控制，具备宽输入电压范围和优异的动态响应能力，可在不同负载条件下实现稳定可靠的整流控制。该器件采用小型化SOP-8封装，便于在紧凑型电源设计中使用，并集成多重保护功能以增强系统的安全性和可靠性。通过优化的栅极驱动设计，UT4422G-S08-R能够在高频开关环境下工作，适用于高达数百kHz的开关频率，适用于现代高密度、高效率电源设计需求。

参数

工作电压范围：5V ~ 20V
　　关断电压（VDD UVLO 下限）：约4.3V（典型值）
　　启动电流：＜50μA
　　工作静态电流：＜1.2mA
　　最大驱动能力：高端与低端双通道同步整流驱动
　　开关频率支持：最高可达500kHz
　　输出驱动电压：约12V（内部稳压）
　　封装形式：SOP-8
　　温度范围：-40°C ~ +125°C
　　保护功能：过温保护、VDD过压保护、欠压锁定（UVLO）

特性

UT4422G-S08-R采用自适应开通与关断控制机制，能够精确检测变压器副边的电压变化，智能判断MOSFET的最佳导通与关断时机，从而避免误触发和体二极管导通时间过长，减少导通损耗并防止反向电流造成效率下降。该芯片支持高边与低边同步整流MOSFET的驱动，适用于多种反激拓扑结构，包括准谐振（QR）、CCM（连续导通模式）和DCM（非连续导通模式），具有广泛的适用性和良好的兼容性。其内部集成了高压电平位移电路，确保高边驱动信号的可靠传输，即使在高dv/dt环境下也能保持稳定运行。
　　为了提升系统可靠性，UT4422G-S08-R内置多重保护机制，包括VDD过压保护（OVP）、欠压锁定（UVLO）以及过温保护（OTP）。当芯片温度超过设定阈值时，OTP功能将自动关闭输出驱动，防止因过热导致器件损坏。同时，芯片具备出色的抗噪声能力，能够在复杂的电磁环境中稳定工作，减少误动作风险。此外，其低启动电流设计有助于降低待机功耗，提升轻载效率，满足严格的节能规范。
　　该器件采用SOP-8封装，引脚布局经过优化，便于PCB布线和散热管理，适合自动化生产流程。其驱动输出具有适当的上升/下降时间控制，可有效抑制开关过程中的电压振铃和EMI干扰，进一步提升系统EMC性能。UT4422G-S08-R无需外部绕组或额外传感电阻即可实现精准控制，简化了外围电路设计，降低了整体BOM成本。凭借高集成度、高效率和高可靠性，该芯片广泛应用于手机充电器、笔记本适配器、家电辅助电源等领域，是现代高效电源设计的理想选择。