时间：2025/8/5 23:52:57
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IXTN400N15X4 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌科技）推出的 N 沟道功率 MOSFET，采用先进的沟槽式（Trench）技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力。该器件适用于高效率电源转换和功率管理应用。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流 (Id)：400A
最大漏极-源极电压 (Vds)：150V
最大栅极-源极电压 (Vgs)：±20V
导通电阻 Rds(on)：3.7mΩ（典型值）
封装类型：TO-247AC
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
IXTN400N15X4 是一款高性能功率 MOSFET，其采用先进的沟槽式技术，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。该器件的低导通电阻使其在高电流应用中表现出色，同时具备较低的开关损耗，适合高频操作。此外，该 MOSFET 内部集成了快速恢复二极管，有助于减少外部元件数量并提高整体系统可靠性。
该器件的封装形式为 TO-247AC，具有良好的散热性能，适用于高功率密度设计。其栅极驱动电压范围宽，支持 4.5V 至 20V 的栅极驱动，适用于多种控制方案。此外，IXTN400N15X4 具备良好的热稳定性和抗过载能力，适用于严苛的工作环境。
由于其高可靠性和优异的电气性能，IXTN400N15X4 常用于 DC-DC 转换器、电机驱动、UPS 系统、电池管理系统和工业电源等应用领域。
IXTN400N15X4 主要应用于需要高效率和高功率密度的电力电子系统中。例如，在 DC-DC 转换器中，它用于高效地将一个直流电压转换为另一个直流电压，适用于服务器电源、通信设备电源等场合。在电机驱动电路中，该器件能够提供稳定的高电流输出，适用于工业自动化设备、电动工具和电动汽车驱动系统。此外，IXTN400N15X4 也可用于不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）以及各种类型的工业电源和逆变器系统中。
由于其优异的热管理和高频特性，该 MOSFET 在高功率密度和小型化电源设计中表现出色，适合用于现代高能效电子设备。
IXTH400N15X4, IXTK400N15X4
