UT4410G-S08-R 时间：2025/12/27 7:28:14 阅读：10

UT4410G-S08-R是一款由UTC（友顺科技）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，专为高效率、高频率的开关电源应用而设计。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、优异的开关特性和良好的热稳定性，适用于多种电源管理场景。UT4410G-S08-R封装形式为SOP-8，符合RoHS环保标准，并具备无铅（Pb-free）特性，适合现代电子产品的绿色制造要求。其主要优势在于能够在较低的栅极驱动电压下实现高效的导通性能，从而降低系统功耗并提升整体能效。该MOSFET广泛应用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关、电机驱动以及电池管理系统等场合。得益于其小型化封装和高性能参数，UT4410G-S08-R在空间受限但对效率要求较高的便携式设备中表现出色，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑及各类消费类电子产品中的电源模块。
　　此外，该器件内部结构经过优化，具备较强的抗雪崩能力和过载耐受性，提升了系统的可靠性与安全性。其栅极氧化层经过特殊处理，能够承受较高的栅源电压（VGS），增强了在复杂电磁环境下的运行稳定性。UT4410G-S08-R还具备较低的输入电容和输出电容，有助于减少高频工作时的驱动损耗和开关损耗，进一步提高转换效率。总体而言，这款MOSFET结合了高性能、小尺寸和成本效益，是现代开关电源设计中理想的功率开关元件之一。

参数

型号：UT4410G-S08-R
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：SOP-8
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：18A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：72A
　　导通电阻(RDS(on))：6.8mΩ @ VGS=10V, 8.8mΩ @ VGS=4.5V
　　阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.5V
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　输入电容(Ciss)：1020pF @ VDS=15V
　　输出电容(Coss)：290pF @ VDS=15V
　　反向传输电容(Crss)：70pF @ VDS=15V
　　栅极电荷(Qg)：13nC @ VGS=10V
　　上升时间(tr)：15ns
　　下降时间(tf)：12ns

特性

UT4410G-S08-R采用先进的沟槽式场效应晶体管技术，具备极低的导通电阻，这使其在大电流应用中显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。其RDS(on)在VGS=10V时仅为6.8mΩ，在VGS=4.5V时为8.8mΩ，表明该器件即使在较低的驱动电压下也能保持优异的导通性能，兼容3.3V或5V逻辑电平控制，适用于现代低压控制系统。这种低阈值电压和快速响应能力使得UT4410G-S08-R特别适合用于同步整流电路中，作为主开关或续流二极管的替代方案，有效减少发热并提升能效。
　　该器件的封装形式为SOP-8，不仅节省PCB空间，而且通过外露散热焊盘设计增强了热传导性能，允许在有限的空间内有效散发热量，从而提高长期工作的可靠性。其最大漏源电压为30V，适用于12V至24V的中低压电源系统，常见于DC-DC降压变换器、BUCK电路、负载开关和电机驱动模块中。此外，高达18A的连续漏极电流能力使其能够支持较高功率的应用需求，同时脉冲电流可达72A，具备良好的瞬态负载应对能力。
　　UT4410G-S08-R还具有优良的开关特性，包括低输入/输出电容和较小的栅极电荷（Qg=13nC），这些参数有助于减少开关过程中的能量损耗，提升高频操作下的整体效率。其快速的上升时间和下降时间（分别为15ns和12ns）确保了在高频率PWM控制下的精确响应，减少了交叉导通风险。此外，器件具备良好的热稳定性，工作结温范围宽达-55°C至+150°C，可在恶劣环境下稳定运行，适用于工业级和汽车级电子设备。
　　内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，减少了反向恢复电荷（Qrr），进一步降低了开关损耗，尤其在同步整流应用中表现突出。综合来看，UT4410G-S08-R凭借其高性能参数、紧凑封装和高可靠性，成为中小功率电源设计中的优选器件。

应用

UT4410G-S08-R广泛应用于各类需要高效、高频开关操作的电源管理系统中。典型应用场景包括同步整流型DC-DC转换器，特别是在Buck拓扑结构中作为下管使用，利用其低导通电阻和快速开关特性来提升转换效率并减少发热。在便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，该器件常用于电池供电路径管理、负载开关控制以及多路电源切换电路，确保系统在待机或低功耗模式下最小化静态电流损耗。
　　此外，UT4410G-S08-R也适用于电机驱动电路，例如微型直流电机或步进电机的H桥驱动模块，其高电流承载能力和快速响应特性可有效提升驱动精度和动态性能。在LED背光驱动和恒流源设计中，该MOSFET可用于精确调节电流输出，实现亮度控制功能。由于其具备良好的热稳定性和抗干扰能力，该器件还可用于工业控制设备、网络通信电源模块以及USB PD快充适配器中的次级侧同步整流环节。
　　在电池管理系统（BMS）中，UT4410G-S08-R可用于充放电通路的通断控制，配合保护IC实现过流、短路和过温保护功能。其SOP-8封装便于自动化贴片生产，适合大规模量产应用。综上所述，该器件因其优异的电气性能和封装优势，在消费电子、工业控制、移动设备和电源适配器等领域具有广泛的应用前景。