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UT3409L-AE3-R 发布时间 时间:2025/12/27 7:15:05 查看 阅读:14

UT3409L-AE3-R是一款由United Silicon Carbide(联合碳化硅)公司推出的高性能硅基氮化镓(GaN-on-Si)高电子迁移率晶体管(HEMT),专为高频、高效率的电源转换应用而设计。该器件采用先进的氮化镓技术,相较于传统的硅基MOSFET,在开关速度、导通电阻和开关损耗方面具有显著优势,能够支持更高的工作频率和更高的功率密度。UT3409L-AE3-R属于常关型增强模式(e-mode)氮化镓晶体管,简化了栅极驱动设计,兼容标准CMOS逻辑电平,便于在现有电源系统中直接替换传统MOSFET。该器件采用紧凑型表面贴装封装(如DFN或类似封装),具备良好的热性能和低寄生参数,适用于高密度、小型化的电源模块设计。
  UT3409L-AE3-R主要面向工业电源、数据中心服务器电源、电信整流器、太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及高端消费类电源适配器等应用场景。其高开关频率能力有助于减小磁性元件和电容的体积,从而提升整体系统的功率密度和能效。此外,该器件具备优异的抗dv/dt能力和较低的反向恢复电荷(Qrr),在硬开关和软开关拓扑(如LLC谐振转换器、图腾柱PFC、PSFB等)中表现出色,可有效降低电磁干扰(EMI)并提升系统可靠性。产品符合RoHS环保标准,并经过严格的可靠性测试,确保在严苛工作环境下的长期稳定运行。

参数

型号:UT3409L-AE3-R
  类型:增强模式氮化镓场效应晶体管(e-GaN HEMT)
  漏源电压(VDS):650 V
  连续漏极电流(ID):12 A
  脉冲漏极电流(IDM):48 A
  导通电阻(RDS(on)):90 mΩ
  栅极阈值电压(VGS(th)):1.5 V ~ 2.5 V
  栅源电压范围(VGS):-10 V 至 +7 V
  最大功耗(PD):100 W
  工作结温范围(TJ):-40°C 至 +150°C
  输入电容(Ciss):1100 pF
  输出电容(Coss):280 pF
  反向恢复电荷(Qrr):< 1 nC
  封装形式:DFN5x6 或类似底部散热封装
  安装方式:表面贴装(SMD)

特性

UT3409L-AE3-R的核心优势在于其基于氮化镓材料的半导体结构,实现了远超传统硅基MOSFET的电气性能。首先,其90mΩ的低导通电阻(RDS(on))结合12A的额定电流,能够在高功率密度条件下实现极低的导通损耗,显著提升电源系统的整体效率。其次,该器件具备极快的开关速度,得益于其低栅极电荷(Qg)和低输出电容(Coss),使得在数百kHz甚至MHz级别的开关频率下仍能保持高效运行,从而大幅减小电感器和变压器的体积与重量,推动电源系统向小型化发展。
  该器件为增强模式设计,即在栅源电压为0V时处于关闭状态,需要施加正电压(通常为5V)才能导通,这一特性使其与现有的硅基MOSFET驱动电路高度兼容,降低了系统设计复杂度和开发成本。同时,其栅极驱动电压范围较窄(+7V最大),避免了复杂的负压关断需求,提升了系统的安全性和稳定性。
  UT3409L-AE3-R还具备极低的反向恢复电荷(Qrr),几乎可以忽略不计,这在桥式拓扑或体二极管需要导通的场景中尤为重要。传统硅MOSFET由于存在较大的体二极管反向恢复电荷,容易产生严重的开关损耗和电压尖峰,而UT3409L-AE3-R则有效避免了这一问题,不仅提高了效率,还减少了对缓冲电路的需求,进一步简化了外围设计。
  在可靠性方面,该器件经过优化的封装设计确保了良好的热传导性能,底部散热焊盘可有效将热量传递至PCB,提升散热效率。同时,器件具备出色的抗浪涌能力和温度稳定性,可在-40°C至+150°C的宽结温范围内稳定工作,适用于各种恶劣工业环境。此外,其低寄生电感和电容的设计也有助于减少高频开关过程中的振铃现象,提高系统EMI性能。

应用

UT3409L-AE3-R广泛应用于各类高效率、高频率的电力电子变换系统中。在数据中心和云计算基础设施中,它被用于服务器电源单元(PSU)和机架式电源模块,支持80 PLUS钛金级能效标准,提升能源利用率并降低运营成本。在通信电源领域,该器件适用于48V转12V中间母线转换器(IBC)和高密度AC-DC整流模块,满足5G基站和光传输设备对小型化和高效能的严苛要求。
  在可再生能源系统中,UT3409L-AE3-R可用于光伏(PV)微型逆变器和储能系统的DC-DC转换级,其高效率和高频率特性有助于提升能量转换效率并缩小系统体积。对于电动汽车充电设备,无论是车载充电机(OBC)还是直流充电桩的内部电源模块,该器件都能提供可靠的高频开关解决方案,支持更快的充电速度和更高的功率密度。
  此外,该器件也适用于高端消费电子产品,如笔记本电脑、游戏主机和显示器的外置电源适配器,帮助实现更轻薄的设计和更低的待机功耗。在工业自动化和医疗设备电源中,其高可靠性和宽温工作能力确保了系统在长时间运行下的稳定性。总体而言,任何需要提升电源效率、减小体积或提高开关频率的应用场景,UT3409L-AE3-R都是一种极具竞争力的替代方案。

替代型号

GaN Systems GS-065-011-1-L
  Navitas NV6249
  Power Integrations InnoGaN系列INN650D290C

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