器件类型：气体放电管（GDT）
　　封装形式：SMD表面贴装
　　外形尺寸：约2.5mm × 1.6mm × 2.2mm
　　直流击穿电压（VDC breakdown）：90V ~ 150V
　　标称通流能力（8/20μs）：≥5kA
　　最大冲击耐受电流（Imax）：5kA（8/20μs）
　　绝缘电阻：≥1GΩ
　　电容值：≤1.5pF
　　响应时间：≤1μs
　　工作温度范围：-40℃ ~ +85℃
　　介质耐压：≥1500VAC（50Hz，1min）
　　气密性：陶瓷密封结构

UMG9N气体放电管具备卓越的瞬态过电压抑制能力，其核心优势在于低电容与高隔离阻抗特性，这使其在高频信号线路保护中表现尤为出色。由于其寄生电容低于1.5pF，在高速数据传输应用中几乎不会对信号完整性造成影响，避免了传统保护元件可能引起的信号衰减或失真问题，因此非常适合用于DSL、ADSL、以太网、串行通信接口等对带宽要求较高的场景。该器件采用全陶瓷密封工艺，内部充入惰性气体混合物（如氩气与氖气），确保长期稳定性与防潮性能，即使在高温高湿环境下也能维持可靠的击穿电压特性。当线路出现异常高压（如雷击感应或电源串扰）时，UMG9N能在微秒级时间内完成从高阻态到低阻态的转换，快速建立泄流通路，有效限制端口电压上升幅度。其放电后可自动恢复初始高阻状态，无需人工更换，支持多次重复使用，极大提升了系统维护便利性和使用寿命。此外，该器件通过了IEC 61643-11、ITU-T K系列等多项国际防雷标准认证，符合电信设备安全规范。其表面贴装设计不仅便于自动化生产，还显著降低了PCB占用面积，满足现代电子设备小型化趋势。值得注意的是，尽管UMG9N响应速度较TVS稍慢，但其承载能量远高于半导体类保护器件，因此通常作为第一级粗保护元件，配合后续的TVS或PTC实现分级防护策略，从而兼顾响应速度与能量吸收能力。
　　在实际应用中，UMG9N常被配置于线路入口端，例如RJ11/RJ45接口前端、天线馈线入口或传感器信号输入端，用以拦截大能量瞬变脉冲。其低漏电流特性（典型值小于1nA）也保证了在正常工作状态下不会引入额外功耗或干扰。同时，由于其双向对称结构，可用于交流或正负极性信号线路保护，无需考虑极性接法，简化了电路设计。整体而言，UMG9N是一款兼具高性能、小体积与高可靠性的基础级过压保护元件，广泛应用于光猫、路由器、安防监控、智能电表及工业通信模块等领域。

UMG9N主要应用于需要高可靠性瞬态过电压保护的电子系统中，尤其适用于通信接口和信号线路的初级浪涌防护。典型应用场景包括但不限于：宽带接入设备（如ADSL调制解调器、光纤猫）中的电话线或网络端口保护；工业自动化系统中RS-232、RS-485通信总线的防雷设计；楼宇安防系统的摄像头视频信号线和门禁控制线路防护；智能电表与远程抄表系统的电力载波通信端口保护；无线基站与射频设备的天线接口防静电和感应雷击保护；以及各类消费类电子产品中对外连接端口的电磁兼容（EMC）增强设计。此外，由于其低电容和高绝缘阻抗特性，UMG9N也常用于医疗电子设备、测试仪器等对信号保真度要求较高的精密系统中，作为前端保护元件防止外部异常电压侵入导致主控芯片损坏。在多级保护电路架构中，UMG9N通常作为第一级粗保护器件，与TVS瞬态抑制二极管、压敏电阻（MOV）或自恢复保险丝（PTC）协同工作，形成完整的浪涌抑制解决方案。例如，在以太网接口保护中，UMG9N可安装在变压器前端，先期泄放大能量雷击电流，随后由后级TVS钳位残余电压，确保PHY芯片安全。其表面贴装封装形式支持回流焊工艺，适合大规模自动化生产，广泛服务于电信运营商设备、物联网终端、智能家居网关等对成本、空间和可靠性均有严格要求的应用领域。

GDT-SMD90-150、B32-K90U、TSS0903H、UMG9N-R