型号：UT3403G-AE2-R
　　通道类型：P沟道
　　封装：SOT-23-6
　　漏源电压(VDS)：-30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：-4.1A
　　脉冲漏极电流(IDM)：-12A
　　导通电阻(RDS(on))：45mΩ @ VGS = -10V, 48mΩ @ VGS = -4.5V
　　阈值电压(Vth)：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容(Ciss)：520pF @ VDS=15V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　功率耗散(PD)：1W

UT3403G-AE2-R采用了先进的沟槽式MOSFET工艺，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了在高电流应用中的功率损耗和发热问题。其最大导通电阻在-10V栅压下仅为45mΩ，在-4.5V逻辑电平驱动条件下也仅达到48mΩ，表现出优异的低电压驱动能力，非常适合由3.3V或5V逻辑信号直接控制的应用场合。这种低RDS(on)特性使得该器件在负载开关、电源路径管理和电池供电系统中能够高效运行，提升整体能效。
　　该器件具备良好的热稳定性和电流承载能力，连续漏极电流可达-4.1A，脉冲电流更高达-12A，适用于瞬态负载变化较大的应用场景。同时，其最大漏源电压为-30V，栅源电压支持±20V，提供了足够的电压裕量，增强了在复杂电源环境下的可靠性。输入电容Ciss为520pF，在同类产品中处于较低水平，有助于加快开关速度，减少开关延迟和交叉导通风险，提高系统的动态响应性能。
　　SOT-23-6封装不仅体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，而且引脚设计优化，有助于降低寄生电感和电阻，进一步提升高频开关表现。该封装还具备较好的散热能力，结合1W的功率耗散能力，可在不额外增加散热片的情况下满足多数中低功率应用需求。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应严苛的工业和车载环境，确保长期稳定运行。此外，UT3403G-AE2-R符合无铅和RoHS指令要求，支持绿色环保制造流程，适用于对环保有严格要求的产品设计。

UT3403G-AE2-R广泛应用于各类需要高效电源控制和小型化设计的电子系统中。典型应用包括便携式设备中的电池供电管理电路，如智能手机、平板电脑、移动电源等，用于实现电池充放电控制、电源路径切换和反向电流阻断功能。在DC-DC转换器中，该器件常作为高端开关管使用，配合控制器完成降压或升压操作，尤其适用于同步整流架构以提升转换效率。此外，它也常被用于负载开关电路，控制外设模块的上电时序，防止浪涌电流对主电源造成冲击。
　　在嵌入式系统和微控制器单元（MCU）供电设计中，UT3403G-AE2-R可用于实现多路电源域的独立启停控制，支持低功耗待机模式下的电源隔离。工业控制设备中，该器件可用于继电器驱动、电机控制接口或传感器供电模块的通断控制。由于其具备良好的电压和温度稳定性，也可应用于汽车电子中的车身控制模块、车载信息娱乐系统或辅助电源系统。通信设备如路由器、交换机的板级电源管理同样可以利用其快速响应和低静态功耗的优势。总之，任何需要P沟道MOSFET进行电源开关控制且追求高效率、小尺寸和高可靠性的场合，UT3403G-AE2-R都是一个理想选择。

AO3401A, SI2301, FDN340P, TSM2301, CDM3401A