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2SD2025 发布时间 时间:2025/7/15 19:00:06 查看 阅读:8

2SD2025是一款NPN型高频晶体管,广泛应用于射频(RF)放大、功率放大及高频开关电路中。这款晶体管采用TO-126封装形式,具有良好的热稳定性和较高的工作频率响应,适合用于通信设备、音频放大器及其他电子系统中的信号处理环节。

参数

类型: NPN晶体管
  最大集电极电流 (Ic): 150mA
  最大集电极-发射极电压 (Vceo): 30V
  最大集电极-基极电压 (Vcbo): 30V
  最大功耗 (Ptot): 400mW
  过渡频率 (fT): 100MHz
  增益带宽积 (fT): 100MHz
  工作温度范围: -55°C至+150°C

特性

2SD2025具备多项优良的电气和物理特性,适用于多种高频应用场合。其主要特点包括高频率响应能力、较低的噪声系数以及良好的线性度,使其在射频放大电路中表现出色。
  该器件采用了高性能硅材料制造,并结合优化的结构设计,能够在高频条件下保持稳定的性能。此外,它还具有较好的热稳定性,在高温环境下依然能够正常工作,不会出现明显的性能下降或可靠性问题。
  2SD2025的封装形式为TO-126,这种封装不仅提供了良好的散热效果,还增强了机械强度,便于安装和使用。由于其体积小巧,非常适合用于空间受限的设计方案中。
  这款晶体管的另一个重要特性是其优异的线性放大能力。在音频放大或其他需要高质量信号放大的应用中,它可以提供更清晰、失真更小的输出信号。同时,它的低噪声系数也有助于提升整个系统的信噪比,从而改善整体性能。

应用

2SD2025主要用于射频放大器、高频开关电路、前置放大器以及各种通信设备中的信号处理模块。此外,它也常被用作音频放大电路中的驱动级或输入级元件,以提高声音质量并减少失真现象的发生。在一些工业控制与测试仪器领域,这款晶体管同样有着广泛的应用前景。

替代型号

2SC2412, 2SC945

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2SD2025参数

  • 标准包装500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)8A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1.5V @ 6mA,3A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)1000 @ 2A,3V
  • 功率 - 最大2W
  • 频率 - 转换40MHz
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装TO-220FP
  • 包装散装