型号：UT30P03L-TN3-R
　　类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　材料：氮化镓（GaN-on-Si）
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：-8V ~ +7V
　　连续漏极电流（ID）：30A
　　脉冲漏极电流（IDM）：120A
　　导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ
　　阈值电压（Vth）：典型值2.0V，范围1.6V ~ 2.6V
　　输入电容（Ciss）：典型值1050pF @ VDS=50V, VGS=0V
　　输出电容（Coss）：典型值230pF @ VDS=50V, VGS=0V
　　反向恢复电荷（Qrr）：典型值0C（无体二极管反向恢复）
　　栅极电荷（Qg）：典型值27nC @ VGS=5V
　　开关时间（ton/toff）：典型值<15ns
　　工作结温范围（Tj）：-40°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：DFN5x6或类似小型贴片封装
　　安装方式：表面贴装（SMD）

UT30P03L-TN3-R采用先进的增强型氮化镓（eGaN）技术，具备卓越的电气性能和高频响应能力。其核心优势在于极低的导通电阻（RDS(on)仅为4.5mΩ）与优异的开关特性，使得在高频率工作条件下仍能保持较低的导通损耗和开关损耗，显著提升电源系统的整体能效。该器件没有传统硅MOSFET中的体二极管，因此不存在反向恢复电荷（Qrr≈0），极大减少了硬开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），特别适用于图腾柱无桥PFC等对开关性能要求严苛的应用场景。
　　该器件的栅极驱动电压范围为+5V至+7V，推荐工作于5V逻辑电平驱动，兼容主流的隔离式或非隔离式栅极驱动器，降低了系统设计复杂度。同时，其负压耐受能力（-8V）增强了在高噪声环境下的抗干扰能力，防止因栅源电压负向尖峰导致误开通。器件内部结构经过优化，寄生电感和电容极小，有利于实现快速上升/下降时间（<15ns），支持MHz级开关频率运行，从而可大幅减小外围无源元件（如电感、变压器和电容）的尺寸与成本。
　　热性能方面，UT30P03L-TN3-R采用低热阻封装设计，能够有效将芯片热量传导至PCB，结合合理的布局布线可实现良好的散热效果。其工作结温最高可达150°C，具备出色的高温稳定性与长期可靠性。此外，该器件通过了多项工业级可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和功率循环测试，确保在恶劣工况下的稳定运行。整体而言，UT30P03L-TN3-R代表了新一代宽禁带半导体器件的发展方向，是替代传统超结MOSFET的理想选择，尤其适用于追求高功率密度、高效率和小型化的现代电力电子系统。

UT30P03L-TN3-R广泛应用于各类高效率、高频开关电源系统中。典型应用场景包括通信电源、服务器电源、数据中心供电单元（PSU）、车载充电机（OBC）、直流快充模块以及太阳能微逆变器等。由于其优异的开关性能和零反向恢复特性，特别适合用于图腾柱无桥功率因数校正（Totem-Pole PFC）电路，该拓扑结构依赖于高速开关器件以实现超高效率（>98%）和高功率密度设计。此外，在LLC谐振转换器和有源钳位反激（ACF）拓扑中，UT30P03L-TN3-R能够显著降低开关损耗，提高轻载和满载效率，满足80 PLUS钛金等高能效标准要求。
　　在工业自动化与电机驱动领域，该器件可用于小型伺服驱动器、数字电源模块和高频DC-DC中间总线转换器（IBC）。其高频工作能力允许使用更小体积的磁性元件，有助于缩小设备尺寸并提升功率密度。在消费类电子方面，UT30P03L-TN3-R也适用于高端笔记本适配器、USB PD快充充电器以及无线充电发射端，尤其是在65W以上大功率快充方案中表现出色。得益于其表面贴装封装形式，便于自动化生产，提升了制造效率与产品一致性。同时，该器件还可用于激光驱动器、医疗电源等对噪声敏感且要求高稳定性的场合，充分发挥其低EMI和高可靠性的优势。随着氮化镓技术的成熟与成本下降，UT30P03L-TN3-R正逐步成为主流高端电源设计中的关键器件之一。

UT33P03-G1-R
　　GS-065B25-100-1
　　EPC2045
　　LMG5200