型号：UT30P03L-TM3-T
　　类型：P沟道MOSFET
　　封装：SOT-23-3
　　最大漏源电压（VDS）：-30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-3.0A（TA=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-12A
　　最大功耗（PD）：1W（TA=25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：45mΩ @ VGS = -10V
　　导通电阻（RDS(on)）：60mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻（RDS(on)）：80mΩ @ VGS = -2.5V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：-1.0V ~ -2.5V
　　输入电容（Ciss）：450pF @ VDS=15V
　　输出电容（Coss）：190pF @ VDS=15V
　　反向恢复时间（trr）：未内置二极管或典型值约20ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C

UT30P03L-TM3-T采用先进的沟槽式MOSFET工艺，具备出色的电学性能与热稳定性，特别适用于高密度集成和低电压操作环境。其核心优势之一是极低的导通电阻RDS(on)，在VGS = -10V条件下仅为45mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率。这一特性使其非常适合用于电池供电设备中的电源开关和负载控制，有助于延长电池续航时间。同时，在VGS = -4.5V和-2.5V等较低驱动电压下仍能保持较低的导通电阻，表明该器件可在3.3V甚至更低逻辑电平下可靠工作，兼容大多数现代微控制器输出信号。
　　该器件的栅极阈值电压范围为-1.0V至-2.5V，确保了良好的开启一致性，并避免因阈值过高导致无法完全导通的问题。输入电容和输出电容分别约为450pF和190pF，在同类产品中处于较低水平，意味着更快的开关速度和更小的驱动能量需求，有利于实现高频开关应用。此外，UT30P03L-TM3-T具有良好的热阻特性，结到环境的热阻（RθJA）约为150°C/W，结合1W的最大功耗能力，能够在适度散热条件下稳定运行。
　　SOT-23封装不仅体积小巧，便于自动化贴装，还具备较好的电气隔离和机械强度，适合回流焊工艺。该器件通过AEC-Q101可靠性认证的可能性较高（需查证具体批次），适用于汽车电子中的非动力系统应用。总体而言，UT30P03L-TM3-T凭借其低RDS(on)、小封装、高可靠性以及宽泛的工作温度范围，成为许多中小型功率开关应用的理想选择。

UT30P03L-TM3-T广泛应用于需要高效、小型化P沟道MOSFET的各种电子系统中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品中的电源管理模块，例如智能手机和平板电脑中的电池保护电路、背光驱动开关、USB端口电源控制等。在这些设备中，该器件常被用作高端开关（High-side Switch），通过控制栅极电压来实现对负载的通断管理，从而降低待机功耗并提高能源利用率。
　　此外，它也适用于各类DC-DC转换器中的同步整流或开关元件，尤其是在降压（Buck）拓扑结构中作为上管使用。由于其具备较低的栅极驱动电压要求，能够与3.3V或5V逻辑信号直接接口，无需额外电平转换电路，简化了设计复杂度。
　　在工业控制领域，UT30P03L-TM3-T可用于传感器供电开关、继电器驱动电路或I/O端口保护，提供快速响应和过流防护功能。在物联网（IoT）设备和可穿戴设备中，因其小尺寸和低功耗特性，常用于动态电源门控技术中，按需开启不同功能模块以节省能耗。
　　其他应用还包括LED照明调光控制、电机驱动中的H桥低端开关、音频放大器的电源切换以及各类嵌入式系统的电源序列控制。总之，凡是需要一个小型、高效、易于驱动的P沟道MOSFET的地方，UT30P03L-TM3-T都是一个极具竞争力的选择。

APM30P03GN, DMG30P03LSD, Si2301DS, FDMC86281, BSS84