型号：UT3055-TN3-T
　　极性：N沟道
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：5.5A（@25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：22A
　　导通电阻（Rds(on)）：28mΩ（@Vgs=10V）
　　导通电阻（Rds(on)）：33mΩ（@Vgs=4.5V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：600pF（@Vds=15V）
　　输出电容（Coss）：260pF（@Vds=15V）
　　反向传输电容（Crss）：70pF（@Vds=15V）
　　栅极电荷（Qg）：12nC（@Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：1.5W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

UT3055-TN3-T采用了先进的沟槽式MOSFET工艺，这种结构能够在单位面积内实现更高的载流子迁移效率，从而显著降低导通电阻Rds(on)，提升整体能效。该器件在Vgs=10V时Rds(on)仅为28mΩ，在Vgs=4.5V时也仅为33mΩ，表明其在低电压驱动条件下仍能保持良好的导通性能，适用于由逻辑电平信号直接驱动的应用场景，如微控制器IO口控制负载开关等。其低阈值电压范围（1.0V~2.5V）进一步增强了对低电压控制信号的兼容性，确保在启动阶段即可快速进入饱和导通状态，减少开关损耗。
　　该MOSFET具有较高的电流承载能力，连续漏极电流可达5.5A（在25°C下），脉冲电流更高达22A，适合短时大电流放电或启动冲击电流较大的应用场景，例如电机启动、LED闪光灯驱动或电池保护电路。输入电容Ciss为600pF，输出电容Coss为260pF，Crss为70pF，这些较低的寄生电容值有助于减少开关过程中的能量损耗，提高高频工作的效率，适用于高频DC-DC变换器和同步整流电路。
　　UT3055-TN3-T的栅极电荷Qg仅为12nC（@Vgs=10V），意味着驱动电路所需的能量较少，降低了驱动IC的负担，有利于简化外围电路设计并提升系统整体效率。其最大漏源电压为30V，适用于12V或24V系统中的开关控制，如电源通断、负载切换、H桥驱动等。SOT-23封装虽然体积小巧，但通过优化内部引线设计和散热路径，仍能保证一定的热传导能力，配合合理的PCB布局可有效散发工作热量。
　　该器件具备良好的抗雪崩能力和ESD防护特性，能够在瞬态过压或静电放电情况下维持稳定运行，提升了系统的鲁棒性。同时，其工作结温范围宽达-55°C至+150°C，可在极端环境温度下可靠工作，适用于工业级应用需求。整体而言，UT3055-TN3-T在性能、尺寸与成本之间实现了良好平衡，是一款适用于多种中低功率开关应用的高性能N沟道MOSFET。

UT3055-TN3-T广泛应用于各类中低功率电子系统中，典型用途包括便携式设备的电源开关控制，如智能手机、平板电脑和移动电源中的负载开关或电池充放电通路管理。在DC-DC转换器中，它可作为同步整流管使用，替代传统肖特基二极管以降低导通损耗，提升转换效率，尤其适用于降压型（Buck）转换器的下管配置。此外，该器件也常用于电机驱动电路，特别是在小型直流电机或步进电机的H桥驱动方案中，承担高速开关任务，实现正反转和调速控制。
　　在LED照明应用中，UT3055-TN3-T可用于恒流源的开关调节部分，配合电感和控制IC构建高效的LED驱动电路，适用于背光模组或手电筒等产品。其低Rds(on)特性有助于减少发热，提高系统稳定性。在电源管理系统中，该MOSFET可用于过流保护、热插拔控制或多电源路径选择开关，实现自动切换主备电源或防止反向电流。
　　由于其SOT-23小封装特性，UT3055-TN3-T非常适合空间受限的高密度PCB设计，常见于智能家居设备、无线模块、传感器供电单元等消费类电子产品中。此外，在工业控制领域，如PLC输入输出模块、继电器驱动电路或电磁阀控制中，也可利用其高开关速度和耐久性来提升系统响应速度和可靠性。整体来看，该器件凭借其优良的电气性能和紧凑封装，在多个行业中均有广泛应用前景。

SI2302-DS-T1-E3
　　AO3400A
　　FDMC86282
　　FS8805N