型号：UT2804
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：TO-252（D-PAK）
　　漏源电压（VDS）：280V
　　连续漏极电流（ID）：4A（@25℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：16A
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值2.3Ω（@VGS=10V, ID=2A）
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：典型值520pF（@VDS=25V）
　　输出电容（Coss）：典型值110pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值34ns
　　功耗（PD）：50W（@Tc=25℃）
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃

UT2804具备优异的电气性能和热稳定性，其核心特性之一是具有相对较低的导通电阻（RDS(on)），在VGS=10V且ID=2A的工作条件下，典型值仅为2.3Ω，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高电源转换效率。这对于需要长时间运行或对能效有严格要求的应用尤为重要，如开关电源和LED驱动电路。同时，该器件支持高达280V的漏源击穿电压，使其能够适应宽范围的输入电压条件，特别适用于离线式AC-DC电源设计，例如充电器、适配器和小型逆变器等产品。
　　另一个显著特点是其快速的开关响应能力。UT2804的输入电容（Ciss）仅为520pF左右，输出电容（Coss）为110pF，较小的寄生电容意味着更低的栅极驱动能量需求和更快的开关速度，从而减少开关过程中的能量损耗。结合其典型的反向恢复时间trr为34ns，可以有效降低与体二极管相关的损耗，尤其在高频PWM控制应用中表现更佳。此外，该器件拥有良好的热性能，采用TO-252封装，具有较大的金属焊盘用于散热，能够在较高环境温度下稳定工作，最大结温可达150℃，确保长期运行的可靠性。
　　UT2804还具备较强的抗静电能力和抗浪涌性能，栅氧化层可承受±20V的栅源电压，避免因误操作或瞬态电压导致的器件损坏。其阈值电压范围为2.0V至4.0V，兼容多种逻辑电平驱动信号，包括来自控制器或PWM芯片的5V或10V驱动信号，提升了系统设计的灵活性。此外，该MOSFET通过了多项国际安规认证，符合RoHS环保标准，适用于出口型电子产品。综合来看，UT2804在性能、可靠性与成本之间实现了良好平衡，是一款适合多种中压功率应用场景的理想选择。

UT2804广泛应用于各类中等功率开关电源系统中，典型用途包括离线式反激变换器（Flyback Converter）、AC-DC适配器、手机及笔记本电脑充电器、LED照明驱动电源等。在这些应用中，它通常作为主开关管使用，负责将整流后的高压直流电进行高频斩波，实现能量传递与电压变换。得益于其280V的耐压能力和4A的额定电流，UT2804能够胜任多数80V至265V交流输入范围内的电源设计需求，满足全球通用电压输入的要求。
　　此外，该器件也常见于DC-DC升压或降压电路中，特别是在非隔离式Buck/Boost拓扑结构中担任开关元件角色。例如，在便携式设备的电池管理系统中，可用于构建高效的电压调节模块，延长电池续航时间。在工业控制领域，UT2804可用于电机驱动电路中的低端开关，或作为继电器、电磁阀等感性负载的驱动开关，利用其快速关断能力和较强的抗电压反冲特性来保护控制系统。
　　在LED照明应用中，UT2804可用于恒流驱动电路，配合专用控制IC实现精准的电流调节，确保LED灯珠亮度稳定并防止过流损坏。其低导通电阻有助于减少发热，提升灯具的整体光效和寿命。此外，由于其封装为TO-252，易于安装在铝基板或带有散热孔的PCB上，有利于热量及时散出，进一步保障长时间工作的稳定性。
　　在小型逆变器或UPS电源中，UT2804也可用于H桥或推挽拓扑中的开关单元，参与直流到交流的转换过程。虽然单颗电流承载能力有限，但在轻载或辅助电源部分仍具实用价值。总体而言，UT2804凭借其高性价比和稳定的性能表现，已成为许多入门级至中端功率电子产品的优选MOSFET之一。

FQP2804, STP2804, KSD2804, SIHF2804