型号：UT2327G-AE3-R
　　类型：同步整流控制器
　　通道数：单通道
　　工作电压范围：8V ~ 20V
　　启动电压：典型值10.5V
　　关断电压：典型值8.5V
　　静态电流：典型值1.2mA
　　峰值输出电流：±5A
　　驱动方式：N沟道MOSFET驱动
　　封装形式：SOT-23-6L
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　导通延迟时间：典型值40ns
　　关断延迟时间：典型值30ns
　　前沿消隐时间：典型值200ns
　　最大开关频率：支持高达500kHz
　　输出驱动电压钳位：12V集成稳压
　　输入逻辑检测阈值：可自适应漏源电压变化

UT2327G-AE3-R采用智能电压检测机制，能够实时监测同步整流MOSFET的漏源极电压（VDS），并在适当的时间点触发导通与关断动作，确保在反激式变换器的续流阶段实现最优的同步整流控制。该芯片具备快速响应能力，导通延迟时间仅为40ns，关断延迟为30ns，使其能够在高频开关环境下保持精确的时序控制，避免体二极管先导通造成的能量损耗，显著提升电源系统的整体效率，尤其在轻载和满载条件下均表现出良好的能效稳定性。
　　该器件内置12V稳压电路，可为外部同步整流MOSFET提供稳定的栅极驱动电压，防止因供电波动导致的驱动不足或过驱动问题，从而延长MOSFET寿命并提升系统可靠性。同时，芯片集成了前沿消隐（LEB）功能，有效抑制开关瞬态过程中产生的电压尖峰干扰，避免误触发，增强系统抗噪声能力。这一特性在高dV/dt环境下尤为重要，可显著提高系统工作的稳定性与安全性。
　　UT2327G-AE3-R还具备完善的保护机制。当芯片结温超过安全阈值时，过温保护（OTP）功能会自动关闭输出，待温度下降后恢复工作，实现自我修复。欠压锁定（UVLO）功能确保芯片仅在供电电压达到稳定工作范围后才启动，防止低压状态下的异常操作。此外，芯片具有短路保护能力，在输出端发生异常短路时可迅速切断驱动信号，保护外围器件不受损坏。这些多重保护机制共同保障了电源系统在复杂工况下的长期可靠运行。
　　得益于SOT-23-6L的小型化封装，UT2327G-AE3-R非常适合空间受限的应用场景，如手机充电器、USB PD电源、智能家居设备电源模块等。其引脚设计兼容行业主流同步整流控制器，便于替换和升级现有设计方案。整体而言，UT2327G-AE3-R以其高集成度、高效率和高可靠性，成为现代高效绿色电源设计中的关键元件之一。

UT2327G-AE3-R主要用于各类反激式开关电源中的同步整流控制，广泛应用于手机、平板电脑、笔记本电脑的AC-DC适配器与充电器；消费类电子产品如智能音箱、路由器、机顶盒、电视辅助电源；工业控制设备中的小功率电源模块；以及LED照明驱动电源等领域。由于其高效的能量转换能力和紧凑的封装尺寸，特别适用于追求高能效等级（如CoC Tier 2、DOE VI）和小型化设计的电源产品。此外，该芯片也可用于基于QR（准谐振）模式或CCM/DCM混合模式的高性能电源设计中，提供稳定可靠的同步整流解决方案。

MP6908A