时间：2025/6/28 13:26:52
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V6R8B0402HQC500NBT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，属于 Vishay 公司的 SiHF 系列。该芯片采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，广泛应用于电源管理、电机驱动和 DC-DC 转换等场景。
该型号主要面向工业和消费类应用领域，能够显著提升系统的效率和可靠性。
类型：MOSFET
封装：TO-263 (D2PAK)
Vds（漏源电压）：600 V
Rds(on)（导通电阻）：400 mΩ
Id（连续漏极电流）：8 A
功耗：175 W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
栅极电荷：25 nC
总电容：220 pF
上升时间：45 ns
下降时间：28 ns
V6R8B0402HQC500NBT 的设计注重高效能与稳定性。其核心特性包括：
1. 极低的导通电阻，可减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力使得它非常适合高频应用，例如 SMPS 和逆变器。
3. 内置 ESD 保护功能增强了器件在恶劣环境中的抗干扰能力。
4. 改进的热性能允许更高的功率密度和更小的设计体积。
5. 宽广的工作温度范围确保了在极端条件下的可靠运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足全球法规要求。
这些特点使其成为许多电力电子设计的理想选择。
V6R8B0402HQC500NBT 主要用于以下应用场景：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动电路
4. 电磁阀控制
5. 工业自动化设备
6. 汽车电子系统
7. 太阳能逆变器
其高效率和稳定性为上述应用提供了优异的解决方案。
V6R8B0402HQC500NBT_S, IRFZ44N, FDP5500
