型号：UT2306G-AE3-R
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：SOT-23
　　通道数：单通道
　　漏源电压(VDSS)：20V
　　栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：4.4A
　　脉冲漏极电流(IDM)：17.6A
　　导通电阻(RDS(on))：18mΩ @ VGS=4.5V
　　导通电阻(RDS(on))：23mΩ @ VGS=2.5V
　　阈值电压(Vth)：0.6V ~ 1.0V
　　输入电容(Ciss)：450pF @ VDS=10V
　　输出电容(Coss)：160pF @ VDS=10V
　　反向恢复时间(trr)：18ns
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　热阻结到环境(RθJA)：250℃/W
　　安装方式：表面贴装

UT2306G-AE3-R采用先进的沟槽型MOSFET工艺，具备优异的电气性能和热稳定性。其核心优势之一是低导通电阻，在VGS=4.5V条件下，RDS(on)仅为18mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了电源系统的整体能效。这对于电池供电设备尤为重要，能够有效延长续航时间。
　　该器件具有快速的开关响应能力，输入电容Ciss为450pF，输出电容Coss为160pF，在高频开关应用如同步整流、DC-DC降压变换器中表现出色，能够减少开关损耗并提高转换效率。同时，其反向恢复时间trr为18ns，表明体二极管具有较快的恢复特性，有助于降低在感性负载切换过程中的能量损耗和电压尖峰，提升系统可靠性。
　　UT2306G-AE3-R的阈值电压范围为0.6V至1.0V，属于逻辑电平兼容型MOSFET，可直接由3.3V或2.5V的微控制器GPIO引脚驱动，无需额外的电平转换电路，简化了设计复杂度并降低了成本。这一特性使其非常适合用于嵌入式系统中的负载开关、LED驱动或电源路径控制。
　　该器件采用SOT-23小型化封装，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，尤其适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间敏感的应用场景。尽管封装尺寸小，但其热阻RθJA为250℃/W，配合良好的PCB散热设计（如增加铜箔面积或使用散热焊盘），仍可支持高达4.4A的连续漏极电流。
　　此外，UT2306G-AE3-R通过了严格的可靠性测试，具备良好的抗静电能力和长期工作稳定性，符合工业级应用要求。其无铅、无卤素的设计也满足RoHS和REACH环保规范，适合出口型电子产品使用。综合来看，UT2306G-AE3-R是一款高性能、高性价比的N沟道MOSFET，适用于多种低压功率开关场景。

UT2306G-AE3-R广泛应用于各类需要高效、小型化功率开关的电子设备中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品中的电源管理模块，例如智能手机和平板电脑中的电池充放电控制、背光驱动电路以及外设电源开关。由于其低导通电阻和逻辑电平驱动特性，常被用作负载开关来实现对特定功能模块（如Wi-Fi模组、传感器阵列）的上电时序控制，以达到节能目的。
　　在DC-DC转换器拓扑中，UT2306G-AE3-R可用于同步整流结构中的低边开关，替代传统的肖特基二极管，大幅降低导通损耗，提高转换效率，尤其适用于12V转5V或5V转3.3V等低压差降压电路。
　　此外，该器件也适用于电机驱动电路，尤其是在微型直流电机或步进电机的H桥驱动方案中作为开关元件，利用其快速开关能力和低RDS(on)实现精确的转速与方向控制。
　　在工业控制领域，UT2306G-AE3-R可用于PLC输入输出模块、继电器驱动、电磁阀控制等场合，提供可靠的信号隔离与功率切换功能。
　　其他应用还包括USB电源开关、充电器过流保护电路、LED调光驱动、无线耳机充电仓电源管理等。凭借其小封装、高性能和成本优势，UT2306G-AE3-R已成为众多设计师在低压功率开关应用中的优选器件之一。

SI2302DDS