时间：2025/12/27 8:57:07
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UT20N04是一款由优达（UT）半导体推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽栅极工艺制造，专为高效率、高频率的开关应用设计。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高输入阻抗和快速开关响应的特点，适用于多种电源管理场景。UT20N04的额定电压为40V，连续漏极电流可达20A，能够承受较高的瞬态电流冲击，适合在紧凑型电源系统中替代传统晶体管或用于同步整流等场合。该芯片封装形式通常为TO-252（DPAK）或类似的表面贴装形式，具备良好的热性能和焊接可靠性，广泛应用于DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统、电源开关以及消费类电子设备中。由于其优异的性价比和稳定性，UT20N04在国内市场被广泛用于各类中低端功率控制电路中。
UT20N04的设计注重热稳定性和雪崩能量耐受能力，在正常工作条件下表现出较低的温升，有助于提升整体系统的可靠性和寿命。此外，该器件对栅极驱动电压的要求较为宽松，通常在10V至12V下即可实现完全导通，兼容常见的驱动IC输出电平。其内部结构优化了寄生电容分布，降低了开关过程中的能量损耗，从而提高能效。作为一款通用型中压MOSFET，UT20N04在工业控制、通信设备、LED驱动等领域也有一定的应用基础。需要注意的是，尽管其参数表现良好，但在高温环境或高负载持续运行时仍需配合适当的散热措施以确保长期稳定运行。
型号：UT20N04
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：40V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：20A（@TC=25℃）
脉冲漏极电流（IDM）：80A
导通电阻（RDS(on)）：23mΩ（@VGS=10V）
导通电阻（RDS(on)）：28mΩ（@VGS=4.5V）
阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
输入电容（Ciss）：1200pF（@VDS=20V）
输出电容（Coss）：350pF（@VDS=20V）
反向恢复时间（trr）：25ns
工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-252（DPAK）
UT20N04采用高性能沟槽栅技术，显著降低了导通电阻与开关损耗之间的权衡，使其在低电压大电流应用中表现出色。其核心优势之一是极低的RDS(on)，在VGS=10V时仅为23mΩ，这意味着在通过20A电流时，导通状态下的功耗仅为P=I2×R=400×0.023=9.2W，虽然仍需散热设计，但相比同类产品已大幅减少能量浪费。这种低导通损耗特性特别适用于电池供电系统或追求高能效的DC-DC变换器中，例如Buck降压电路的主开关管或同步整流管。同时，该器件在4.5V栅压下的RDS(on)也仅为28mΩ，表明其具备良好的低压驱动能力，可直接由逻辑电平信号或半桥驱动IC驱动，无需额外升压电路，简化了外围设计。
在动态特性方面，UT20N04具有适中的输入和输出电容，Ciss为1200pF，Coss为350pF，在高频开关应用中不会引入过大的驱动负担，有利于提升系统开关频率并减小滤波元件体积。其反向恢复时间trr为25ns，说明体二极管响应较快，在桥式电路或感性负载切换过程中能有效抑制电压尖峰，降低EMI干扰风险。此外，该MOSFET具备较强的雪崩耐量，能够在短时过压或感性负载断开时吸收一定的能量而不损坏，增强了系统的鲁棒性。
热性能方面，UT20N04基于TO-252封装，具有较低的热阻（典型θJC约为1.5°C/W），配合PCB铜箔散热可实现良好的温控效果。器件的工作结温范围宽达-55℃至+150℃，适应各种严苛环境条件，包括工业级温度应用。其栅氧层经过严格工艺控制，保证了栅极耐压达到±20V，避免因驱动波动导致击穿。综合来看，UT20N04在性能、成本与可靠性之间取得了良好平衡，是一款适用于中等功率开关应用的理想选择。
UT20N04广泛应用于各类需要高效开关控制的电子系统中。在电源管理领域，它常用于同步整流式DC-DC降压（Buck）或升压（Boost）转换器中，作为主开关或续流开关使用，尤其适合输入电压在12V或24V系统的中小功率变换器。例如，在车载电源模块、USB PD快充输出级、LED恒流驱动电源中，UT20N04凭借其低导通电阻和快速响应能力，可显著提升转换效率并降低发热。
在电机驱动方面，该器件可用于直流有刷电机的H桥驱动电路，控制正反转及调速功能，常见于电动工具、玩具机器人、小型家电等产品中。由于其支持高达20A的连续电流和80A的脉冲电流，能够应对电机启动瞬间的大电流冲击，提高了驱动系统的稳定性与响应速度。
此外，UT20N04还适用于电池保护电路、电子负载开关、热插拔控制器等场景。在便携式设备中，它可以作为负载开关切断待机功耗；在工业控制系统中，可用于继电器替代方案，实现无触点开关控制，延长使用寿命。其TO-252封装便于自动化贴片生产，适合大规模制造。总体而言，UT20N04凭借其优良的电气特性与成熟的供应链体系，已成为许多中低端功率电子设计中的常用元器件之一。
AP20N04LG
APT20N04LLCR
SI2300ADS
