时间:2025/12/10 13:51:18
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CLF7045T-101M 是由TDK公司生产的一款多层片状铁氧体磁珠,属于EMI(电磁干扰)滤波器的一种。该器件主要用于抑制高频噪声,广泛应用于各类电子设备的电源线和信号线中,以提升系统的电磁兼容性(EMC)。CLF7045T系列具有小型化、高阻抗特性和良好的直流偏流特性,适合在紧凑型电子设备中使用。该型号的封装尺寸为7.0 x 6.8 x 4.5 mm,属于较大的片式磁珠,适用于需要较高电流承载能力的应用场景。其命名规则中,“CLF”代表TDK的铁氧体磁珠产品线,“7045”表示其外形尺寸(7.0 x 4.5 mm),“T”表示编带包装,“101M”中的“101”代表标称阻抗值为100Ω(在100MHz下),“M”表示阻抗公差为±20%。该器件采用高温烧结的陶瓷工艺制造,内部电极由银或铜构成,具有良好的焊接可靠性和长期稳定性。CLF7045T-101M 工作温度范围通常为-55°C至+125°C,适用于工业级和汽车级应用环境。由于其结构为无源被动元件,不具备极性,安装时无需考虑方向问题。
产品类型:铁氧体磁珠
封装尺寸:7.0 x 6.8 x 4.5 mm
标称阻抗(100MHz):100 Ω
阻抗公差:±20%
直流电阻(DCR):典型值 0.32 Ω
额定电流:500 mA
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
测试频率:100 MHz
耐压:最大 50 V
电感值:不适用(主要功能为电阻性阻抗)
寄生电容:低
屏蔽类型:无屏蔽(表面贴装多层型)
CLF7045T-101M 具备优异的高频噪声抑制能力,其核心特性在于在100MHz频率下可提供高达100Ω的阻抗,有效吸收并衰减高频干扰信号,从而防止这些噪声通过电源或信号线路传播,影响系统其他部分的正常运行。该磁珠采用多层陶瓷工艺制造,内部电极为贵金属材料(如银或铜),确保了良好的导电性和焊接可靠性。其结构设计使得在直流或低频信号通过时呈现较低的阻抗,从而对正常工作电流的影响最小化,而在高频段则表现出显著的电阻性阻抗,将噪声能量转化为热能消耗掉。
该器件具有较低的直流电阻(DCR),典型值仅为0.32Ω,这有助于减少因电流通过而产生的功率损耗和温升,特别适用于对效率要求较高的电源电路中。同时,其额定电流可达500mA,能够满足多数中等功率应用场景的需求。CLF7045T-101M 的工作温度范围宽达-55°C至+125°C,具备出色的热稳定性,能够在严苛的环境条件下保持性能一致性,适用于工业控制、汽车电子、通信设备等对可靠性要求较高的领域。
此外,该磁珠具有良好的抗机械应力和热冲击性能,适用于回流焊工艺,且在多次热循环后仍能保持稳定的电气特性。其表面贴装(SMD)封装形式便于自动化贴片生产,提高组装效率。由于其非饱和特性,在大电流下仍能维持一定的噪声抑制效果,不会像电感那样容易发生磁饱和而导致性能下降。整体而言,CLF7045T-101M 是一款高性能、高可靠性的EMI滤波解决方案,尤其适合用于DC/DC转换器输入输出端、微处理器供电线路、USB接口电源滤波以及射频模块周边的噪声抑制。
CLF7045T-101M 广泛应用于各类需要电磁干扰抑制的电子系统中。常见应用包括开关电源(SMPS)的输入和输出滤波,用于抑制由开关动作引起的高频噪声向外传导,提升电源的EMC性能。在DC/DC转换器模块中,该磁珠常被放置于输入端以防止噪声进入主电源网络,或置于输出端以净化供给敏感芯片(如MCU、FPGA、ADC等)的电源电压。此外,它也适用于微控制器、数字信号处理器(DSP)和现场可编程门阵列(FPGA)的VCC供电引脚旁,作为局部去耦和高频滤波元件,确保核心逻辑电路获得干净的电源。
在通信设备中,CLF7045T-101M 可用于以太网接口、USB、HDMI等高速数据线的电源馈电路径中,抑制共模噪声对信号完整性的干扰。在汽车电子系统中,如车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块和车身控制单元中,该器件有助于满足严格的汽车EMC标准(如CISPR 25)。工业自动化设备中的PLC、伺服驱动器和人机界面(HMI)也常采用此类高阻抗磁珠来增强系统的抗干扰能力。此外,在医疗电子、测试测量仪器和消费类电子产品中,该磁珠可用于LCD背光电源、摄像头模块和无线模块(Wi-Fi、Bluetooth)的供电线路,防止噪声串扰导致功能异常或性能下降。其高阻抗特性和适中的电流承载能力使其成为多种混合信号系统中理想的噪声抑制元件。
CLF7045NT-101M
BLM7045SG101SN1
DEB7045TA101MT