时间：2025/6/24 5:37:43
阅读：7
BL027N04TD 是一款 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），适用于多种开关和功率转换应用。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。其封装形式为 TO-252（DPAK），广泛用于消费电子、工业控制和汽车电子领域。
型号：BL027N04TD
类型：N 沟道 MOSFET
Vds（漏源电压）：40V
Rds(on)（导通电阻）：2.7mΩ
Id（连续漏极电流）：85A
Vgs（栅源电压）：±20V
功耗：130W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
封装：TO-252（DPAK）
BL027N04TD 具有非常低的导通电阻 Rds(on)，这有助于减少传导损耗并提高效率。同时，该器件具备快速开关能力，能够适应高频应用场景。它还具有良好的抗雪崩能力和静电防护设计，提升了整体的可靠性。
其紧凑的封装形式使其非常适合于空间受限的设计环境，例如适配器、充电器以及电机驱动等应用。此外，BL027N04TD 在高温条件下也能保持稳定的性能，这得益于其优化的热阻特性和耐热设计。
该 MOSFET 器件可以应用于 DC-DC 转换器、降压/升压电路、负载开关、电机驱动电路以及电池保护系统中。由于其出色的电流承载能力和低损耗特性，BL027N04TD 还特别适合需要高效能量管理的场景，例如电动汽车的辅助电源模块或太阳能逆变器中的功率调节单元。
IRLZ44N
FDP15N10
AON7709
