型号：UT15P04
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：40V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：15A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：60A
　　导通电阻（Rds(on)）：8.5mΩ @ Vgs=10V, Id=7.5A
　　导通电阻（Rds(on)）：11mΩ @ Vgs=4.5V, Id=7.5A
　　阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：1300pF @ Vds=20V
　　输出电容（Coss）：480pF @ Vds=20V
　　反向传输电容（Crss）：110pF @ Vds=20V
　　开启延迟时间（td(on)）：15ns
　　上升时间（tr）：45ns
　　关断延迟时间（td(off)）：35ns
　　下降时间（tf）：25ns
　　最大功耗（Pd）：125W @ TC=25°C
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252 (DPAK)

UT15P04采用先进的沟槽型场效应晶体管结构，优化了载流子迁移路径，显著降低了导通状态下的电阻损耗，从而提升了整体能效表现。其典型的导通电阻仅为8.5mΩ（在Vgs=10V条件下），这意味着在大电流工作环境下产生的焦耳热更少，有助于减小散热设计压力并提高系统的长期稳定性。该器件在低栅压驱动下仍具备良好导通能力，例如在Vgs=4.5V时Rds(on)仅为11mΩ，使其可广泛兼容3.3V或5V逻辑电平驱动信号，适用于由微控制器或专用驱动IC直接控制的应用场景。
　　该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg典型值约为25nC），这直接影响到开关过程中的驱动功耗和开关速度。低Qg意味着可以用较小的驱动电流实现快速的开关动作，从而减少开关过渡期间的能量损耗，特别适用于高频开关电源（如同步整流DC-DC变换器）中以提升转换效率。同时，其输入电容、输出电容和反馈电容均经过优化匹配，抑制了米勒效应引起的误触发风险，增强了电路在高dv/dt环境下的抗干扰能力。
　　UT15P04具备优异的热性能，TO-252封装提供了较大的焊盘接触面积，有利于热量从芯片传导至PCB，实现有效的热管理。器件的最大结温可达150°C，并支持在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作，适用于工业级甚至部分车载环境的应用需求。此外，内置体二极管具有较快的反向恢复特性，虽然未达到快恢复二极管水平，但在非连续导通模式（DCM）下仍能有效处理反向电流，避免因换流过程中产生过高的电压尖峰而导致器件损坏。
　　该器件通过严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高压栅极应力（H3TRB）和温度循环试验，确保在恶劣电气和环境条件下的长期使用寿命。其高雪崩耐量设计允许在电感负载突然断开或输入电压瞬变时吸收一定的能量而不发生击穿，进一步增强了系统的鲁棒性。综合来看，UT15P04是一款性能均衡、成本适中的功率MOSFET，适合用于中小功率电源系统中作为主开关或同步整流管使用。

UT15P04广泛应用于各类中低功率电力电子系统中，典型用途包括但不限于：同步整流式DC-DC降压或升压转换器，特别是在便携式设备如笔记本电脑、平板电源管理系统中作为高效开关元件；电池供电系统的充放电控制电路，例如移动电源、电动工具和无人机中的功率通断与保护模块；电机驱动电路，可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动结构中，实现正反转与调速功能；LED驱动电源，作为恒流调节开关管使用；各类消费类电子产品中的负载开关，如显示器背光控制、USB接口电源管理等；还可用于逆变器、UPS不间断电源以及工业控制板卡中的继电器替代方案，实现固态开关无触点控制，提高响应速度与寿命。

AP15P04G, APM15P04, SiS15P04, FDS15P04