您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > 2SK1023(-01)

2SK1023(-01) 发布时间 时间:2025/8/9 6:09:15 查看 阅读:11

2SK1023(-01) 是一款由东芝(Toshiba)公司生产的N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),主要用于高效率功率开关应用。该晶体管采用TO-220封装形式,具备良好的散热性能和较高的可靠性,适用于各种电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及电源开关电路等场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):50A
  最大漏源电压(VDS):60V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  最大耗散功率(PD):150W
  工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
  导通电阻(RDS(on)):约0.025Ω(典型值)
  封装形式:TO-220

特性

2SK1023(-01) MOSFET具有低导通电阻(RDS(on))的特点,这使得在高电流工作条件下,导通损耗大大降低,从而提高了整体系统的效率。其高耐压能力(60V漏源电压)使其适用于中高压电源系统。此外,该器件具有快速开关特性,适合高频开关应用,如DC-DC转换器和同步整流器。
  该MOSFET采用TO-220封装,具备良好的散热性能,能够在较高功率下稳定运行。同时,其栅极驱动电压范围较宽,支持常见的10V和12V驱动电压,便于与各种控制电路兼容。2SK1023(-01) 还具有较高的热稳定性和抗过载能力,能够在较恶劣的环境下可靠工作。

应用

2SK1023(-01) MOSFET广泛应用于多种功率电子系统中。它常用于开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流器,以提高转换效率。此外,它也适用于DC-DC升压或降压转换器,特别是在需要高电流输出的场合,如笔记本电脑电源适配器、工业电源模块和电池充电器。

替代型号

IRFZ44N, FDP6030L, 2SK2545(-01), SiHH50N60E

2SK1023(-01)推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价