时间：2025/12/27 9:13:41
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UT138FE-4是一款由UTC（友顺科技）生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽工艺技术制造，专为高效率、高开关频率的应用场景设计。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、优异的开关性能和热稳定性，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等多种电子电路中。UT138FE-4封装形式为SOT-23，属于小型表面贴装封装，适合空间受限的便携式电子产品设计。其额定电压为30V，最大持续漏极电流可达4.2A（在良好散热条件下），能够满足大多数低压功率控制需求。由于其出色的性价比和可靠性，UT138FE-4广泛应用于消费类电子设备如智能手机、平板电脑、笔记本电脑的电源模块以及其他需要高效能开关功能的嵌入式系统中。此外，该器件还具备良好的抗瞬态过载能力，能够在短时间内承受较高的电流冲击而不损坏，提高了系统的整体安全性与稳定性。
型号：UT138FE-4
类型：N沟道MOSFET
封装：SOT-23
漏源电压(VDSS)：30V
栅源电压(VGSS)：±20V
连续漏极电流(ID)：4.2A @ 25°C
脉冲漏极电流(IDM)：16.8A
导通电阻(RDS(on))：23mΩ @ VGS=10V, ID=2.1A
导通电阻(RDS(on))：28mΩ @ VGS=4.5V, ID=2.1A
阈值电压(VGS(th))：1.0V ~ 2.5V
输入电容(Ciss)：450pF @ VDS=15V
输出电容(Coss)：150pF @ VDS=15V
反向传输电容(Crss)：40pF @ VDS=15V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
热阻结到环境(RθJA)：250°C/W
热阻结到外壳(RθJC)：60°C/W
UT138FE-4采用了先进的沟槽式场效应晶体管结构，这种结构通过优化硅基材料中的电场分布，显著降低了导通状态下的电阻值，从而减少了能量损耗并提升了整体能效。其低RDS(on)特性意味着在相同的电流负载下，器件产生的热量更少，有助于延长电池寿命并在紧凑型设备中实现更好的热管理。
该器件的栅极驱动电压兼容性强，支持常见的逻辑电平信号直接驱动，例如3.3V或5V微控制器输出，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计复杂度并降低了物料成本。同时，UT138FE-4具备快速的开关响应能力，上升时间和下降时间均处于较低水平，使其非常适合用于高频PWM调制场合，如同步整流、开关电源中的上桥/下桥驱动等应用。
在可靠性方面，UT138FE-4通过了严格的工业级测试标准，包括高温反偏（HTRB）、高压栅极应力（H3TRB）及温度循环试验，确保在恶劣工作环境下仍能保持稳定的电气性能。其SOT-23封装不仅体积小巧，便于自动化贴片生产，而且引脚间距合理，有效避免了焊接过程中短路风险。此外，该MOSFET内置体二极管，可在感性负载关断时提供续流路径，防止电压反冲对主控芯片造成损害，进一步增强了系统的鲁棒性。
UT138FE-4因其优异的电气特性和小尺寸封装，被广泛应用于各类低电压、中等电流的功率开关场景。典型应用包括便携式电子设备中的电源开关与负载切换，例如手机、平板电脑中的背光驱动、摄像头模组供电控制以及电池充放电路径管理等模块。在DC-DC转换器中，它常作为同步整流器使用，替代传统的肖特基二极管以降低传导损耗，提高转换效率，尤其适用于降压型（Buck）变换器的下管配置。
此外，该器件也适用于电机驱动电路，用于控制小型直流电机或步进电机的启停与方向切换，在玩具、家用电器和智能门锁等产品中有广泛应用。在LED照明领域，UT138FE-4可用于恒流源开关控制，配合电感和反馈电路实现高效的LED驱动方案。由于其具备良好的瞬态响应能力和热稳定性，也可用作热插拔电路中的保护开关，限制浪涌电流，防止系统因突然接入负载而崩溃。
在工业控制和通信设备中，UT138FE-4常用于隔离不同电源域之间的连接，实现电源多路复用或多通道选择功能。其高速开关特性使其适用于数字信号开关或模拟信号通断控制，尤其是在需要低导通电阻和低漏电流的精密模拟前端电路中表现优异。总之，凡是需要高效、可靠且小型化功率开关的地方，UT138FE-4都是一个极具竞争力的选择。
SI2302-ADJ,DMG2302U,SZ2302,ME2302,AO3400
