时间：2025/5/22 22:13:00
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UT100N03是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够有效降低功耗并提高系统效率。
UT100N03采用TO-252封装形式，适合表面贴装工艺，具有较高的电流承载能力和耐压能力。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：90A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：68nC
总电容：1750pF
工作温度范围：-55℃至150℃
1. 低导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗，提升整体效率。
2. 快速开关性能，支持高频应用。
3. 高电流承载能力，适用于大功率场景。
4. 具备反向恢复电荷低的二极管结构，优化了动态性能。
5. 小型化封装设计，便于PCB布局与安装。
6. 宽工作温度范围，适应各种环境条件。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. 电机驱动电路中的功率级开关。
3. DC-DC转换器中的高侧或低侧开关。
4. 电池管理系统中的负载开关。
5. 各类工业控制及消费电子设备中的功率管理模块。
6. LED驱动电路中的功率开关组件。
IRFZ44N
STP90NE06L
FDP187N06
