NCE01ND03S 时间：2025/5/10 12:43:03 阅读：4

NCE01ND03S 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率开关器件，广泛应用于高频电源转换领域。该器件具有低导通电阻、高开关速度和高效率的特点，适用于要求高功率密度和高效率的应用场景。
　　它采用了先进的封装技术，确保了良好的散热性能，并且能够承受较高的工作电压。NCE01ND03S 在设计上注重降低开关损耗和导通损耗，非常适合于同步整流、DC-DC 转换器以及 AC-DC 电源等应用。

参数

额定电压：650V
　　额定电流：24A
　　导通电阻：8mΩ
　　栅极电荷：12nC
　　反向恢复时间：无（因 GaN 技术无反向恢复电荷）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-247

特性

NCE01ND03S 具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻（8mΩ），可以有效减少导通损耗，提升整体效率。
　　2. 高速开关性能，开关频率可高达 2MHz，适合高频应用。
　　3. 氮化镓技术消除了传统硅 MOSFET 的反向恢复问题，进一步降低了开关损耗。
　　4. 支持高电压操作（650V），在宽输入电压范围内表现优异。
　　5. 高温稳定性，能够在 -55°C 至 +175°C 的温度范围内可靠运行。
　　6. 先进的封装设计增强了散热性能，提高了功率处理能力。

应用

NCE01ND03S 广泛应用于需要高效率和高频工作的电力电子设备中，包括但不限于：
　　1. 开关电源（SMPS）
　　2. 电动汽车充电站
　　3. 数据中心供电系统
　　4. 太阳能逆变器
　　5. 工业电机驱动
　　6. USB-PD 快充适配器
　　其高功率密度和效率使其成为现代电力转换系统的理想选择。