时间：2025/12/27 7:23:21
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UT06128SH是一款由UTC（友顺科技）推出的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及开关电源等高效率、低损耗的电子系统中。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和良好的热稳定性等特点，能够有效降低功率损耗并提升系统整体效率。UT06128SH适用于多种拓扑结构，如同步整流、负载开关和电池管理系统等，是中小功率应用中的理想选择。其封装形式通常为SOP-8或类似的表面贴装封装，便于自动化生产和散热设计。此外，该MOSFET具备优良的雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态条件下的可靠性，适合在工业控制、消费类电子及便携式设备中使用。
作为一款通用型功率MOSFET，UT06128SH在性价比方面表现出色，能够在较宽的栅极驱动电压范围内稳定工作，兼容常见的逻辑电平信号驱动。其设计注重电气性能与封装尺寸之间的平衡，既满足了紧凑型电子产品对空间的要求，又保证了足够的电流承载能力和散热性能。产品符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色制造的需求。
型号：UT06128SH
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（VDS）：60V
最大连续漏极电流（ID）：12A
最大脉冲漏极电流（IDM）：48A
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：≤7.5mΩ
导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：≤9.5mΩ
阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
输入电容（Ciss）：典型值2300pF
输出电容（Coss）：典型值550pF
反向恢复时间（trr）：典型值25ns
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
封装形式：SOP-8
UT06128SH采用先进的沟槽式场效应晶体管工艺，显著降低了导通电阻，从而在大电流工作条件下减少了导通损耗，提升了整体能效。其低RDS(on)特性使其在同步整流和负载开关应用中表现优异，特别是在电池供电设备中，有助于延长续航时间。该器件在VGS=10V时的典型导通电阻仅为7.5mΩ，在同类产品中处于领先水平，意味着更少的能量以热量形式耗散，有利于简化热管理设计。
该MOSFET具备快速开关能力，得益于较低的栅极电荷（Qg）和输出电容，能够实现高频操作而不过度增加开关损耗。这对于高频率DC-DC变换器尤为重要，例如用于笔记本电脑、路由器或LED驱动电源中的降压（Buck）或升压（Boost）电路。同时，较小的反向恢复时间（trr）降低了体二极管在关断过程中的反向恢复电荷，减少了交叉导通风险，提高了系统效率和电磁兼容性（EMC）表现。
UT06128SH的栅极阈值电压范围合理（1.0V~2.5V），确保了在不同驱动条件下都能可靠开启，同时避免因噪声引起的误触发。其最大栅源电压为±20V，提供了良好的过压保护裕量，增强了在实际应用中的鲁棒性。器件还具备良好的热稳定性，随着结温升高，导通电阻的变化相对平缓，有助于维持系统在高温环境下的性能一致性。
该产品采用SOP-8封装，引脚布局优化，便于PCB布线和散热设计。封装内部结构经过改进，降低了寄生电感和电阻，进一步提升了高频性能。此外，器件通过了严格的质量认证，具备较高的可靠性，适用于长时间连续运行的工业和消费类电子产品。
UT06128SH广泛应用于各类需要高效功率开关的场景。常见用途包括但不限于：同步整流型DC-DC转换器，其中作为下管或上管使用，显著提高转换效率；电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，利用其低导通电阻减少能量损耗；电机驱动电路，用于驱动小型直流电机或步进电机，实现精确控制；电源管理模块中的负载开关，用于上电时序控制和浪涌电流抑制；LED恒流驱动电源中的开关元件，提升光效和稳定性。
此外，该器件也适用于各类适配器、充电器、移动电源、智能家居设备和工业控制板卡等产品中。由于其良好的开关特性和热性能，特别适合高密度、高效率的电源设计方案。在便携式电子设备中，UT06128SH有助于缩小电源模块体积并延长电池使用时间。在工业环境中，其稳定性和耐用性可保障系统长期可靠运行。
AOZ13874CI, SiSS138DN, FDMC887NZ, CSD16406Q5}
