时间：2025/7/12 8:51:22
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5AGXMB1G4F31C5N 是一款高性能的存储芯片，属于 NAND Flash 类型。该型号由知名半导体制造商生产，主要用于大容量数据存储需求的应用场景。它采用先进的制程工艺，具有高可靠性和低功耗的特点，适合消费电子、工业设备和汽车电子等领域。
容量：1Gb
接口类型：Toggle DDR 2.0
工作电压：1.8V
封装形式：BGA
页大小：16KB
块大小：1024KB
通道数：8
数据传输速率：400MT/s
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
存储温度范围：-40°C 至 +125°C
5AGXMB1G4F31C5N 芯片具备高速读写性能和较长的数据保持时间，支持多级纠错功能（ECC），可以有效提升数据存储的可靠性。同时，该芯片采用了低功耗设计，在待机和活动模式下均能实现较低的能耗表现。
此外，其支持的 Toggle DDR 2.0 接口提供了更高的数据吞吐能力，能够满足现代应用对快速数据处理的需求。芯片还内置了多种保护机制，如坏块管理、磨损均衡等，以延长使用寿命并确保数据完整性。
该芯片广泛应用于固态硬盘（SSD）、嵌入式存储模块、监控录像设备、行车记录仪以及其他需要大容量非易失性存储的场景。在消费电子领域，它也可以用于智能手机、平板电脑和其他便携式设备中，提供高效的存储解决方案。
5AGXMB1G4F31C7P
5AGXMB1G4F31C6M
