制造商：Vishay Semiconductors
　　产品系列：USW
　　二极管类型：肖特基势垒二极管，双二极管
　　封装/外壳：SOD-323（SC-76）
　　配置：双共阴极（典型）
　　最大重复反向电压（VRRM）：100 V
　　平均整流电流（IO）：200 mA（每二极管）
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：500 mA（@ 8.3 ms 半正弦波）
　　最大正向压降（VF）：550 mV @ 10 mA，800 mV @ 200 mA
　　最大反向漏电流（IR）：10 μA @ 100 V（25°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　反向恢复时间（trr）：典型值小于 4 ns
　　安装类型：表面贴装（SMT）

USW1C100MDD 具备出色的电气性能与紧凑的物理尺寸，特别适用于高密度 PCB 布局和便携式消费类电子产品。其核心优势之一是低正向导通压降，在轻载和中等负载条件下显著降低功率损耗，从而提高整体能效。由于采用了肖特基势垒技术，该器件不存在少数载流子存储效应，因此具备极短的反向恢复时间（trr < 4 ns），能够有效抑制高频开关过程中的反向电流尖峰，减少电磁干扰（EMI）并提升系统稳定性。这种快速响应特性使其非常适合用于开关模式电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器电路以及高速数字信号线路中的瞬态电压抑制。
　　此外，该器件具有良好的热稳定性和长期可靠性，在 -55°C 至 +125°C 的宽结温范围内仍能保持稳定的电参数表现，适合在恶劣环境或高温运行条件下使用。SOD-323 封装不仅节省空间，还具备优良的散热性能，便于自动化贴片生产，兼容回流焊工艺流程。器件的反向漏电流控制在较低水平（典型值 10 μA @ 100 V），尽管随着温度升高会有所增加，但在大多数常规应用中仍处于可接受范围。同时，其 100 V 的反向耐压能力使其可用于多种低压电源轨的保护设计，如 USB 接口、锂离子电池管理系统、传感器模块和嵌入式控制器供电路径。
　　USW1C100MDD 还具备较强的抗静电放电（ESD）能力，增强了在装配和现场使用中的鲁棒性。作为 Vishay 高质量标准的产品，它经过严格的筛选和测试，确保批次一致性与长期供货能力。该器件广泛应用于工业控制、通信设备、汽车电子（非动力总成部分）、便携医疗设备等领域，尤其适合对尺寸敏感且需要高效整流功能的设计方案。其双二极管结构允许灵活应用于电压倍增、电平移位、逻辑隔离等多种模拟和数字电路拓扑中。

USW1C100MDD 主要应用于需要小型化、高效率和快速响应的电子系统中。常见用途包括便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源管理单元，用于实现电池充放电路径的单向导通控制和防止反接损坏。在 DC-DC 转换器中，该器件常被用作同步整流辅助二极管或续流二极管，以减少能量损失并提升转换效率。此外，它也广泛用于 USB 接口的过压和反向极性保护电路，保障主控芯片安全。在嵌入式控制系统和微处理器供电网络中，该二极管可用于构建简单的 OR-ing 电路或防止备用电池与主电源之间的相互倒灌。
　　在工业传感器、无线模块和 IoT 终端设备中，USW1C100MDD 可用于信号整流、钳位保护和瞬态抑制，防止感应电压或静电冲击损坏敏感元件。其高频特性也使其适用于射频识别（RFID）标签、低功耗蓝牙模块等射频前端电路中的检波和解调环节。在汽车电子领域，虽然不用于高功率驱动系统，但可用于车身控制模块、仪表盘显示单元、车载信息娱乐系统的低压电源整流与保护。此外，该器件还可用于 LED 驱动电路中的防倒灌二极管，确保电流单向流动，避免误点亮或反向击穿。由于其 SOD-323 小型封装，也非常适合在高密度多层 PCB 上进行自动化贴装，满足现代电子产品微型化趋势的需求。

BAS40-04, PMEG2010CEH, RB520S30, SK14, SS12