UST8037A 是一款由 UnitedSiC(现属于 Littelfuse)推出的 SiC(碳化硅)功率 MOSFET 晶体管,适用于高效率、高频率的功率转换应用。该器件采用先进的碳化硅技术,具备更低的导通损耗和开关损耗,适合用于电动汽车(EV)、可再生能源系统、工业电源和充电桩等高功率场景。
类型:SiC MOSFET
额定电压:650V
额定电流:60A
导通电阻(Rds(on)):40mΩ(最大)
栅极电荷(Qg):120nC
反向恢复电荷(Qrr):0
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装类型:TO-247
UST8037A 的最大特点是其基于碳化硅(SiC)材料的高性能功率 MOSFET 结构,相较于传统硅基 MOSFET,具有更高的效率和更小的导通压降。其导通电阻低至 40mΩ,能够在高电流条件下保持较低的导通损耗,从而提升整体系统效率。
此外,该器件具有极低的开关损耗,这使得它在高频率开关应用中表现尤为出色。UST8037A 还具备出色的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作,适用于高温或高负载工况下的电力电子系统。
该器件还具有极低的反向恢复电荷(Qrr),几乎可以忽略不计,这大大减少了高频开关过程中的损耗和电磁干扰(EMI),提升了系统的稳定性和可靠性。
封装方面,采用 TO-247 标准封装,方便用户进行快速安装和散热设计,适用于多种功率拓扑结构,如同步整流、DC-DC 转换器、PFC 电路以及逆变器系统。
UST8037A 主要应用于需要高效、高频率开关性能的电力电子系统中。例如,在电动汽车的车载充电器(OBC)、DC-DC 转换器以及充电桩设备中,该器件能够显著提升系统效率并减小整体尺寸。
在可再生能源领域,如太阳能逆变器和储能系统中,UST8037A 的低导通和开关损耗特性可以有效提高能量转换效率,延长设备使用寿命。
此外,该器件也广泛应用于工业电源、服务器电源、通信电源以及不间断电源(UPS)等高功率密度场景中,满足对高效能和高可靠性的严格要求。
SiC MOSFET 的替代型号包括:Cree/Wolfspeed 的 C3M0060065J、Infineon 的 IMZA65R048M1H、STMicroelectronics 的 SCT2450KE