UST1H100MDD1TP是一款由United Silicon Technology(UnitedSiC,现已被Qorvo收购)生产的高性能硅碳化物(SiC)肖特基二极管。该器件采用先进的碳化物半导体技术制造,具有出色的热性能、高频开关能力和低导通损耗,适用于高效率电源转换系统。该二极管的额定反向电压为1200V,典型电容值为100nF,属于高电压、大功率应用领域中的关键元器件之一。其设计旨在替代传统硅基快恢复二极管或PIN二极管,在高温、高频率和高效率要求的应用中表现出显著优势。UST1H100MDD1TP采用TO-247封装,具备良好的散热性能和机械稳定性,适合在严苛环境下长期稳定运行。该器件无反向恢复电荷(Qrr),因此在开关过程中几乎不产生反向恢复电流,大幅降低了开关损耗和电磁干扰(EMI),提高了系统整体效率。此外,该二极管具有正温度系数的正向压降特性,有利于并联使用时的电流均衡。由于其优异的动态性能和可靠性,该器件广泛应用于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、不间断电源(UPS)、电机驱动以及高密度DC-DC转换器等高端电力电子系统中。
类型:碳化物肖特基二极管
最大反向电压(VRRM):1200 V
平均整流电流(IF(AV)):10 A
峰值非重复浪涌电流(IFSM):85 A(半正弦波,60Hz)
正向压降(VF):1.7 V(典型值,@ IF = 10 A, TJ = 25°C)
反向漏电流(IR):250 μA(@ VR = 1200 V, TJ = 25°C);可达5 mA(@ TJ = 175°C)
结温范围(TJ):-55°C 至 +175°C
存储温度范围(TSTG):-55°C 至 +175°C
热阻结到外壳(RθJC):2.2 °C/W
封装形式:TO-247-2L
UST1H100MDD1TP的核心优势在于其基于碳化物材料的物理特性所带来的卓越电气性能。碳化物(SiC)具有比传统硅更高的禁带宽度(约3.2eV vs 1.1eV),这使得该二极管能够在更高的温度下工作,并且具有更低的本征载流子浓度,从而显著减少高温下的反向漏电流增长趋势。尽管在175°C时漏电流仍会上升至5mA左右,但相比同等条件下的硅器件已大幅改善。更重要的是,该器件为真正的肖特基势垒结构,不存在少数载流子的存储效应,因此在关断过程中不会出现反向恢复电流(IRR)和反向恢复电荷(Qrr),从根本上消除了由Qrr引起的开关损耗和电压振铃问题。这一特性对于高频开关应用至关重要,例如在PFC(功率因数校正)电路或桥式整流器中,能够有效提升系统效率并简化EMI滤波设计。此外,由于没有反向恢复行为,该二极管在硬开关拓扑中表现极为稳健,不会因di/dt过高而引发失效。
另一个重要特点是其正向压降(VF)随温度呈正温度系数变化,这意味着当多个器件并联使用时,电流会自然趋向于均匀分布,避免了“热失控”风险,提升了系统的可扩展性和可靠性。同时,TO-247封装提供了优良的热传导路径,配合适当的散热器可确保长时间高负载运行下的结温控制在安全范围内。该器件还具备高浪涌电流承受能力(85A),能够在瞬态过载或启动冲击条件下保持稳定工作。此外,其低结电容和快速响应能力使其适用于高频整流场合,如LLC谐振转换器中的同步整流替代方案。总体而言,UST1H100MDD1TP凭借其低损耗、高可靠性和优异的热管理能力,成为现代高效能电力电子系统中不可或缺的关键组件。
该器件主要应用于对效率、功率密度和可靠性要求极高的中高功率电力电子系统。常见应用场景包括工业级AC-DC电源中的连续导通模式(CCM)PFC整流段,作为升压二极管以实现接近99%的转换效率;在光伏(太阳能)逆变器中用于直流侧的防反二极管或组串隔离,提升系统在高温环境下的运行稳定性;在电动汽车车载充电机(OBC)和直流快充桩中承担高压整流任务,利用其零反向恢复特性降低开关损耗并提高充电效率;在不间断电源(UPS)和服务器电源中作为输出整流或续流二极管,有助于减小散热器体积并提升功率密度;此外,也广泛用于高频率工作的DC-DC变换器,如图腾柱PFC拓扑、LLC谐振变换器以及三相Vienna整流器等先进拓扑结构中。由于其耐高温特性,该器件特别适合密闭空间或风冷受限的环境,例如嵌入式电源模块或户外电力设备。其高可靠性也使其适用于轨道交通、智能电网和可再生能源并网系统等对长期运行稳定性有严格要求的领域。
UF3C120100K3S
GSU1DB12100T