类型：碳化硅肖特基二极管
　　反向重复电压（VRRM）：1200 V
　　平均正向电流（IF(AV)）：10 A
　　峰值正向电流（IFPM）：64 A
　　正向电压（VF）：1.7 V（典型值，@ IF = 10A, TJ = 25°C）
　　反向漏电流（IR）：250 μA（@ VR = 1200V, TJ = 25°C），5 mA（@ VR = 1200V, TJ = 150°C）
　　反向恢复电荷（Qrr）：0 C（无反向恢复）
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +175 °C
　　存储温度范围（Tstg）：-55 °C 至 +175 °C
　　封装：TO-247-3L

UST1H010MDD的核心优势在于其基于碳化硅材料的物理特性所带来的卓越性能表现。首先，该器件具备真正的“无反向恢复”行为，这意味着在从导通状态切换到截止状态时不会产生反向恢复电流或电荷（Qrr ≈ 0）。这一特性对于高频开关电路至关重要，因为它消除了因二极管反向恢复引起的开关尖峰、电磁干扰（EMI）和额外功耗，特别是在硬开关拓扑如PFC（功率因数校正）、LLC谐振变换器和三相逆变器中效果显著。相比传统硅超快恢复二极管，UST1H010MDD可显著降低主开关器件（如MOSFET或IGBT）的开通损耗，从而提高系统效率并允许更高的开关频率设计，有助于减小磁性元件和滤波器的体积。
　　其次，该二极管具有非常低且稳定的正向导通压降（VF）。在25°C条件下，当通过10A电流时，VF典型值仅为1.7V，远低于同等电压等级的硅二极管（通常超过2.5V）。更重要的是，VF随温度变化较小，在高温环境下仍保持良好性能，避免了热失控风险。这使得UST1H010MDD在高温工况下依然能够维持高效率运行，非常适合用于紧凑型高功率密度电源系统。
　　再次，得益于碳化硅材料宽禁带特性，器件拥有极高的临界击穿电场强度，因此可以在更薄的漂移层中实现1200V的阻断能力，同时保持良好的导通性能。这种结构不仅提升了器件的可靠性，还增强了抗雪崩能力和电压瞬态耐受性。此外，TO-247-3L封装提供了优良的热传导路径，便于将热量迅速传递至外部散热系统，确保长时间高负载运行下的热稳定性。
　　最后，该器件无需复杂的驱动电路或有源钳位保护，属于被动元件但能极大优化整个功率链路的动态响应和效率表现，是现代绿色能源和高效电力电子系统中的关键组件之一。

UST1H010MDD广泛应用于各类需要高效率、高可靠性和高频率操作的电力电子系统中。其主要应用场景包括工业级开关电源（SMPS），尤其是在连续导通模式（CCM）和临界导通模式（CrCM）的功率因数校正（PFC）级中，作为升压二极管使用，能够有效降低二极管关断时对主开关管造成的应力，提升整机效率并简化EMI滤波设计。在太阳能光伏逆变器中，该器件可用于直流侧升压电路或交流桥臂中的续流路径，利用其零反向恢复特性减少能量损耗，提高逆变器的整体转换效率，尤其在光照波动频繁的情况下表现出更好的动态响应能力。
　　在电动汽车领域，UST1H010MDD适用于车载充电机（OBC）和直流快充桩的功率模块中，支持双向能量流动和高效率DC-DC变换，满足严苛的能效标准和热管理要求。此外，在不间断电源（UPS）系统中，无论是在线式还是后备式架构，该二极管都能在逆变输出级或电池充放电回路中发挥重要作用，提升系统响应速度和运行可靠性。
　　其他应用还包括电机驱动器、感应加热设备、电信电源（48V转12V等）、服务器电源和高密度电源模块。由于其优异的高温工作能力，也适用于一些恶劣环境下的军用或工业控制系统。总体而言，任何需要在1200V电压等级下实现高效、高频、小型化设计的功率转换场合，UST1H010MDD都是理想的选择。

UF3C120010B7S
　　GSFC120010A