时间：2025/12/27 8:29:45
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USS5350G-AB3-R是一款由UnitedSiC（现归属于Qorvo）生产的硅 Carbide（碳化硅）肖特基二极管，专为高效率、高频功率转换应用设计。该器件采用先进的碳化硅材料技术，具备出色的热性能和电气特性，适用于要求严苛的电力电子系统。USS5350G-AB3-R属于UltraSiC系列，该系列以低反向恢复电荷、零反向恢复电流以及高温工作能力著称，显著优于传统硅基二极管。该器件采用紧凑的表面贴装DFN封装（双扁平无引脚），具有优异的散热性能和空间利用率，适合在高密度PCB布局中使用。其主要优势包括降低开关损耗、提升系统效率，并可在高温环境下稳定运行，是工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统及服务器电源等应用的理想选择。器件符合RoHS环保标准，并具备高可靠性，适用于需要长期稳定运行的工业与能源系统。
类型：碳化硅肖特基二极管
最大重复峰值反向电压（VRRM）：650 V
平均正向整流电流（IF(AV)）：5 A
最大正向压降（VF）：1.7 V @ 5 A, 25°C
最大反向漏电流（IR）：200 μA @ 650 V, 25°C；5 mA @ 650 V, 150°C
结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
封装类型：DFN（5x6 mm）
安装方式：表面贴装
反向恢复时间（trr）：典型值0 ns（无反向恢复）
反向恢复电荷（Qrr）：典型值0 C
热阻结至外壳（RθJC）：约2.5 °C/W
USS5350G-AB3-R的核心特性源于其采用的碳化硅（SiC）半导体材料，这使其在多个关键性能指标上远超传统的硅基PIN二极管。首先，该器件具有零反向恢复电荷（Qrr）和零反向恢复电流，这意味着在高频开关过程中不会产生由载流子复合引起的反向恢复损耗，从而大幅降低开关节点的振荡和电磁干扰（EMI），并显著提升系统整体效率。这一特性在硬开关拓扑如图腾柱PFC（功率因数校正）电路中尤为重要，能够有效减少主开关器件的应力，提高系统可靠性。
其次，USS5350G-AB3-R具备出色的高温工作能力，其最大结温可达+175°C，允许器件在恶劣的热环境中稳定运行，减少了对复杂散热系统的依赖，有助于缩小系统体积和降低成本。同时，在高温条件下，其反向漏电流虽然有所增加，但仍处于可控范围内，不会引发热失控问题，确保了长期运行的稳定性。
再者，该器件具有较低的正向导通压降（VF），尤其是在额定电流下表现出优异的导通性能，进一步降低了导通损耗。结合其快速响应特性和高开关频率适应能力，USS5350G-AB3-R非常适合用于高效率AC-DC和DC-DC转换器中。此外，其DFN封装不仅提供了良好的电气连接，还通过底部散热焊盘实现高效的热传导，增强了功率密度和热管理能力。这种封装形式也便于自动化生产，提高了制造效率和产品一致性。
USS5350G-AB3-R广泛应用于各类高效率、高频率的电力电子系统中。在通信电源和服务器电源领域，它常用于有源钳位反激、LLC谐振变换器以及图腾柱PFC电路中，作为升压二极管或续流二极管，帮助实现98%以上的系统能效，满足80 PLUS钛金等高能效认证要求。在太阳能光伏逆变器中，该器件可用于直流侧的防反接保护或MPPT电路中的整流元件，利用其低损耗特性提升能量转换效率，尤其在部分光照条件下的轻载效率表现突出。
在电动汽车相关应用中，USS5350G-AB3-R可应用于车载充电机（OBC）和直流快充模块的次级整流或辅助电源电路，支持高功率密度设计并提升系统热稳定性。工业电机驱动和UPS不间断电源系统也广泛采用此类碳化硅二极管，用于抑制感性负载产生的反电动势，保护IGBT或SiC MOSFET等开关器件。
此外，该器件还可用于高密度DC-DC模块电源、工业电源适配器以及高端家电变频器中，特别是在需要小型化、高效化和长寿命设计的场景下表现出明显优势。其卓越的动态性能和热稳定性使其成为现代绿色能源和高效电力转换系统的关键组件之一。
USS5350G-AB3-T
UF3C_50650KDT
SiC430BD
