类型：MOSFET（双N沟道增强型）
　　封装类型：SOT-363
　　最大漏极电流（ID）：100mA（每个通道）
　　最大漏极-源极电压（VDS）：30V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约10Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　存储温度范围：-65°C至+150°C
　　功耗（PD）：200mW

MMDT3904K6N具有多项优良特性，使其在多种电子应用中表现出色。首先，其双N沟道结构设计允许在一个封装内集成两个独立的MOSFET器件，从而节省了PCB空间并简化了电路设计。其次，该器件的导通电阻较低，典型值约为10Ω，使得在导通状态下功耗较低，提高了整体能效。此外，MMDT3904K6N具有快速的开关特性，适合用于高频开关应用，如DC-DC转换器和PWM控制电路。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，最大栅极-源极电压为±20V，因此兼容多种控制电路，如微控制器和逻辑门电路。MMDT3904K6N的工作温度范围为-55°C至+150°C，表明其具有良好的温度稳定性，适用于工业级和汽车电子应用。同时，该器件采用SOT-363小型封装，便于表面贴装工艺（SMT），提高了生产效率。
　　在可靠性方面，MMDT3904K6N具备较高的耐用性，能够承受一定的过载和瞬态电压冲击。此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅封装，适用于现代绿色电子产品设计。

MMDT3904K6N适用于多种电子电路设计，尤其在低功率开关和信号控制应用中表现优异。例如，在电源管理系统中，它可用于负载开关、电压调节和电池管理电路。在DC-DC转换器和LED驱动电路中，该器件可作为高效的开关元件，实现能量转换和亮度调节。此外，MMDT3904K6N还可用于逻辑电路和微控制器外围驱动电路，如控制继电器、马达或传感器模块。
　　在工业自动化和消费类电子产品中，MMDT3904K6N也广泛应用。例如，在智能家电、可穿戴设备和智能家居控制器中，该器件可用于实现电源管理和信号切换功能。由于其良好的温度特性和高可靠性，MMDT3904K6N也适用于汽车电子系统，如车身控制模块、车载娱乐系统和车载充电器。

MMT3904, 2N3904, BC847, 2N2222, MMBF4117