类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：650 V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：4 A
　　峰值非重复正向浪涌电流（IFSM）：80 A（半正弦波，8.3 ms）
　　正向电压（VF）：1.55 V（典型值，@ IF = 4 A, TJ = 25°C）
　　漏电流（IR）：100 μA（最大值，@ VR = 650 V, TJ = 25°C）
　　结温范围（TJ）：-55 °C 至 +175 °C
　　储存温度范围（TSTG）：-55 °C 至 +175 °C
　　热阻结到管壳（RθJC）：1.2 °C/W
　　封装：TO-247-3L

USS4350的核心优势在于其基于碳化硅材料的物理特性所带来的卓越电气表现。首先，该器件实现了几乎为零的反向恢复电荷（Qrr），这意味着在高频开关操作中不会产生由反向恢复引起的额外损耗，从而大幅提升了系统的转换效率，并减少了电磁干扰（EMI）问题。这一特性对于工作在数百kHz甚至MHz级别的高频DC-DC变换器尤为重要。其次，尽管作为肖特基二极管，其正向导通压降（VF）相比传统硅基PIN二极管略有提高，但在高温环境下，碳化硅材料的禁带宽度更大，使得其漏电流增长远低于硅器件，因此在实际应用中尤其是在高结温条件下，其总功耗反而更低。
　　另一个关键特性是其宽泛的工作温度范围，最高结温可达+175°C，使其能够在高温环境中长期可靠运行，无需过度依赖复杂的冷却系统。这不仅提高了系统的紧凑性，也增强了在工业和汽车等严苛环境下的适用性。同时，该器件具备出色的动态稳定性，在快速电压变化率（dv/dt）下仍能保持良好的关断行为，避免误触发或振荡现象的发生。此外，USS4350采用了优化的芯片布局与封装工艺，有效降低了寄生电感，进一步提升了高频开关性能。其TO-247-3L封装支持三引脚连接方式，可用于实现源极开尔文连接，有助于精确控制栅极驱动回路中的感应电压，特别适合与高性能SiC MOSFET或GaN HEMT协同使用于同步整流拓扑结构中。

USS4350广泛应用于对效率、功率密度和可靠性有极高要求的现代电力电子系统中。在数据中心和通信基础设施领域，它被用于高效率的服务器电源（如80 PLUS钛金级电源）、板载DC-DC转换器以及中间母线转换器（IBC），帮助实现更高的能效和更低的热量积累。在可再生能源系统中，该器件常用于光伏（PV）逆变器的升压级和旁路保护电路，利用其无反向恢复特性和高温耐受能力，提升系统在部分遮阴或复杂光照条件下的能量捕获效率。
　　在电动汽车相关应用中，USS4350可用于车载充电机（OBC）、直流快充桩的功率因数校正（PFC）级以及辅助电源模块，支持更高频率的操作以减小磁性元件体积，进而实现轻量化和小型化设计。此外，在工业电机驱动、不间断电源（UPS）和焊接设备等高功率密度场合，该器件同样表现出色，能够承受频繁的负载波动和瞬态过流冲击，保障系统长时间稳定运行。由于其优异的热性能和可靠性，USS4350也适用于航空航天和轨道交通等高端工业领域，满足严格的环境适应性和寿命要求。

UF3C065040K3S
　　UFS3C065040T4S
　　SCH2060A