时间：2025/10/8 0:28:44
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USR1V100MDD是一款由 Vishay Siliconix 生产的表面贴装肖特基势垒二极管阵列，采用先进的平面技术制造，专为高密度、高性能的电源管理应用设计。该器件集成了两个独立的肖特基二极管，采用共阴极配置，即两个二极管的阴极连接在一起，而阳极则分别引出。这种结构特别适用于需要双路整流或电压隔离的应用场景。USR1V100MDD以其低正向压降、快速开关响应和优异的热稳定性著称，能够在高频开关电源中有效减少能量损耗，提升整体系统效率。其封装形式为 SOT-23（Small Outline Transistor），是一种小型化、轻薄化的三引脚塑料封装，非常适合空间受限的便携式电子设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及各类消费类电子产品。该器件符合 RoHS 指令要求，并通过了无卤素认证，体现了对环保标准的严格遵守。此外，USR1V100MDD具有良好的抗浪涌能力和较高的可靠性，可在较宽的温度范围内稳定工作，适合工业级和商业级应用环境。
产品类型：肖特基二极管阵列
配置：共阴极双二极管
最大重复反向电压（VRRM）：100 V
最大直流反向电压（VR）：100 V
平均整流电流（IO）：1 A（每二极管）
峰值脉冲电流（IFSM）：30 A
最大正向压降（VF）：950 mV（在 1 A 条件下）
最大反向漏电流（IR）：1 mA（在 100 V, 25°C 条件下）
反向恢复时间（trr）：典型值 < 1 ns
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-23
USR1V100MDD 的核心优势之一是其采用的肖特基势垒技术，这种技术利用金属与半导体之间的势垒形成整流效应，相较于传统的PN结二极管，具有更低的正向导通压降和更快的开关速度。由于没有少数载流子的存储效应，肖特基二极管在关断时几乎不存在反向恢复电荷，因此其反向恢复时间极短，通常小于1纳秒，这使得它在高频开关电路中表现卓越，能够显著降低开关损耗并减少电磁干扰（EMI）。该器件的正向压降在1A电流下仅为950mV，相比普通硅二极管的约1.2V，这一特性有助于提高电源转换效率，减少发热，延长电池寿命。
另一个关键特性是其高可靠性与热稳定性。尽管封装小巧，但USR1V100MDD能够在-55°C至+150°C的宽结温范围内正常工作，确保在极端环境条件下仍能保持稳定的电气性能。其最大重复反向电压达到100V，适用于多种中低压电源应用，例如DC-DC转换器、续流保护、反向极性保护和电压钳位电路。共阴极结构使其特别适合用于双通道同步整流或双路输出稳压电路中，简化PCB布局并节省空间。
此外，该器件具备良好的抗浪涌能力，可承受高达30A的峰值脉冲电流，增强了在瞬态负载或启动冲击下的鲁棒性。SOT-23封装不仅体积小，还具备优良的散热性能，适合自动化贴片生产，提高了制造效率。所有材料均符合RoHS和无卤素要求，支持绿色环保设计理念。总体而言，USR1V100MDD是一款兼顾高性能、高可靠性和小型化的理想选择，广泛应用于现代高密度电子系统中。
USR1V100MDD 被广泛应用于多种电子系统中，尤其适合那些对空间、效率和可靠性有较高要求的场合。在便携式消费电子产品中，如智能手机、平板电脑和蓝牙耳机，常用于电池充电管理电路中的防反接保护和电源路径切换，防止外部电源反向接入损坏内部芯片。在DC-DC开关电源模块中，它作为同步整流或续流二极管使用，能够有效降低导通损耗，提高转换效率，特别是在升压（Boost）、降压（Buck）和反激式（Flyback）拓扑结构中发挥重要作用。
在电源适配器和USB供电（USB-PD）设备中，该器件可用于多路输出的电压隔离与防倒灌设计，确保各供电通道之间互不干扰。此外，在工业控制和通信设备中，USR1V100MDD也常用于信号整流、电压钳位和瞬态抑制电路，以保护敏感逻辑电路免受电压尖峰影响。其快速响应特性使其适用于高频PWM调光电路或电机驱动中的自由轮续流路径。
由于其SOT-23封装的小型化特点，该器件非常适合高密度PCB布局，尤其是在智能手机主板、可穿戴设备主控板和物联网（IoT）终端设备中，用于实现紧凑型电源管理方案。同时，其宽温度工作范围也使其适用于汽车电子中的非引擎舱应用，如车载信息娱乐系统和车身控制模块。总之，USR1V100MDD凭借其优异的电气性能和可靠的封装设计，已成为现代电子设计中不可或缺的基础元器件之一。
SR100-TP
MBR1100T1G
BAS40-04W
