时间：2025/7/14 8:33:26
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CBR06C708A5GAC 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，专为高频和高效率应用设计。该器件具有出色的开关特性和低导通电阻，适用于电源转换、射频放大器和其他高性能电路。
这款 GaN HEMT 的封装形式采用紧凑型表面贴装技术，适合自动化生产和高密度布局。其内部结构经过优化以减少寄生电感和电容，从而提升整体性能。
型号：CBR06C708A5GAC
类型：GaN HEMT
最大漏源电压：600V
最大连续漏极电流：8A
导通电阻：40mΩ（典型值）
栅极电荷：20nC（最大值）
反向恢复时间：无（由于 GaN 技术特性）
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装：TO-252 表面贴装
CBR06C708A5GAC 的主要特性包括：
1. 高开关频率：得益于 GaN 材料的优异特性，该器件能够在 MHz 级别下高效运行。
2. 超低导通电阻：显著降低功率损耗，提高系统效率。
3. 快速开关速度：缩短死区时间和开关损耗，特别适合高频应用场景。
4. 热稳定性强：在高温环境下仍能保持良好的电气性能。
5. 集成保护功能：内置过流保护和短路保护，增强可靠性。
6. 小型化设计：表面贴装封装使其非常适合空间受限的应用场景。
CBR06C708A5GAC 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 无线充电设备
4. 电机驱动控制器
5. 新能源汽车中的逆变器
6. 工业自动化设备中的高频电源模块
7. 射频功率放大器
这些应用充分利用了 CBR06C708A5GAC 的高效性和快速响应能力。
CBR06C708A5GAA, CBR06C708A5GAB
