产品类型：P沟道MOSFET
　　连续漏极电流（ID）：-4.4 A（@ VGS = -4.5 V）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-17.6 A
　　漏源击穿电压（BVDSS）：-20 V
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：-0.85 V ~ -1.4 V
　　栅源电压（VGS）：±8 V
　　漏源导通电阻（RDS(on)）：22 mΩ（@ VGS = -4.5 V）；30 mΩ（@ VGS = -2.5 V）
　　输入电容（Ciss）：410 pF（@ VDS = 10 V）
　　输出电容（Coss）：140 pF（@ VDS = 10 V）
　　反向恢复时间（trr）：17 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：USP-6
　　安装类型：表面贴装（SMD）

USP0HR22MDD1TD采用Vishay成熟的TrenchFET?沟道技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。该器件的关键优势之一是其22mΩ的超低RDS(on)，在P沟道MOSFET中属于领先水平，尤其适用于需要高效能电源管理的应用场合。由于采用了先进的硅工艺，该MOSFET能够在较低的栅极驱动电压（如-2.5V或-4.5V）下充分导通，兼容现代低压逻辑控制信号，例如来自微控制器或电源管理IC的输出信号。这使得它非常适合用于电池供电系统中作为负载开关或电源多路复用器，有助于减少系统功耗和提高能源利用率。
　　该器件的封装形式为USP-6，尺寸仅为1.6 mm × 1.6 mm × 0.55 mm，具有极小的PCB占用面积，非常适合高密度布局设计。尽管体积微小，但其热性能表现优异，得益于底部暴露焊盘设计和优化的内部引线结构，能够有效将热量传导至PCB，从而提升散热效率。此外，USP0HR22MDD1TD具备良好的抗瞬态过载能力，能够在短时间内承受较高的电流冲击而不发生损坏，增强了系统的鲁棒性。
　　在可靠性方面，该器件经过严格的测试验证，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和温度循环等试验，确保长期使用的稳定性。同时，其符合AEC-Q101车规级认证的部分要求，表明其在质量与可靠性方面达到较高水准，可用于对可靠性有严格要求的应用领域。另外，该MOSFET具有较低的输入和输出电容，有助于减少开关过程中的动态损耗，提升高频工作的效率。集成体二极管具有较快的反向恢复特性，进一步降低了交叉导通风险，提升了系统安全性。

USP0HR22MDD1TD主要用于需要小型化和高效率的电源管理系统中。典型应用场景包括移动设备中的电池电源路径控制，例如在智能手机和平板电脑中实现充电与放电路径的切换，以及主副电源之间的无缝切换。该器件也可作为高端负载开关使用，用于控制不同功能模块的供电状态，以实现节能待机或热插拔保护功能。
　　在可穿戴设备如智能手表、健康监测仪中，由于空间极其有限且对功耗极为敏感，该MOSFET的小尺寸和低静态功耗特性使其成为理想选择。此外，在便携式医疗设备、无线传感器节点和物联网终端中，常用于电源多路复用电路或电池备份系统的控制单元。
　　该器件还适用于DC-DC转换器中的同步整流部分，特别是在低电压输入条件下，P沟道MOSFET无需复杂的自举电路即可实现上桥臂驱动，简化了设计复杂度。在热插拔控制器、USB电源开关及各类低电压配电系统中，USP0HR22MDD1TD凭借其快速响应能力和低导通损耗，能够有效防止浪涌电流并提升系统稳定性。此外，由于其良好的温度特性和可靠性，也可用于工业控制模块和汽车电子外围电路中，尤其是在非动力系统的低压电源管理部分。

SI2301-ADJ-VB