型号：USG135N10
　　制造商：United Silicon Carbide (UnitedSiC)
　　器件类型：SiC MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：1200V
　　最大漏源电流（Id）：135A（连续）
　　导通电阻（Rds(on)）：10mΩ（@ Vgs = 18V, Tj = 25°C）
　　栅极电荷（Qg）：典型值约260nC（@ Vds = 800V）
　　输入电容（Ciss）：约11000pF
　　输出电容（Coss）：约680pF
　　反向恢复电荷（Qrr）：接近于零（无体二极管反向恢复损耗）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：约3.5V
　　最大栅源电压（Vgs max）：+25V / -15V
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-247-4L（四引脚，带Kelvin Source）
　　热阻（RθJC）：约0.25°C/W

USG135N10作为一款基于碳化硅（SiC）材料的MOSFET，其最核心的特性在于极低的导通电阻与卓越的开关性能结合，能够在高电压和大电流条件下实现极低的导通损耗和开关损耗。该器件的Rds(on)仅为10mΩ，在1200V等级的功率器件中处于领先水平，这意味着在相同电流下，其发热更小，系统效率更高，散热设计更简化。得益于SiC材料的宽禁带特性，该器件可在高达175°C的结温下稳定工作，远高于传统硅器件的150°C限制，增强了在高温环境下的可靠性。
　　另一个关键特性是其几乎为零的反向恢复电荷（Qrr），这是由于SiC MOSFET内部不存在传统硅MOSFET中的PN结体二极管，或者其体二极管性能极优。这一特性在硬开关和桥式拓扑（如半桥、全桥）中尤为重要，可大幅减少换流过程中的能量损耗和电压尖峰，从而降低电磁干扰（EMI）并提升系统整体效率。此外，USG135N10采用TO-247-4L封装，引入了开尔文源极（Kelvin Source）设计，将驱动回路与功率回路分离，有效减少了共源电感对开关瞬态的影响，使得栅极控制更加精准，开关速度更快且不易发生误导通。这在高频应用中尤为关键，有助于实现MHz级开关频率下的高效运行。
　　该器件还具备良好的抗雪崩能力与dv/dt耐受性，适合在恶劣工况下长期运行。其栅极驱动电压兼容主流驱动IC（如+18V开启，-5V关断），无需特殊高压驱动电路，降低了系统设计复杂度。同时，低输入电容和优化的电荷特性使其在高频软开关拓扑（如LLC、相移全桥）中表现出色。综合来看，USG135N10凭借其材料优势、封装创新与电气性能，成为高功率密度、高效率电力电子系统的理想选择。

USG135N10广泛应用于各类高效率、高频率、高功率密度的电力电子系统中。在新能源领域，它被用于光伏（太阳能）并网逆变器的主功率级，尤其是在三电平或多电平拓扑结构中，能够显著提升转换效率并缩小系统体积。在电动汽车基础设施中，该器件适用于车载充电机（OBC）和直流快充桩的PFC（功率因数校正）级与DC-DC变换级，支持双向能量流动，满足高功率密度与高可靠性的双重需求。在工业电源领域，USG135N10可用于大功率不间断电源（UPS）、通信电源和服务器电源，特别是在图腾柱PFC拓扑中，其零Qrr特性可完全消除二极管反向恢复问题，极大提升效率至99%以上。
　　此外，该器件也适用于工业电机驱动系统，尤其是中高压变频器，能够在高频PWM调制下降低电机损耗并提升动态响应。在储能系统（ESS）的双向DC-DC转换器中，USG135N10的低损耗特性有助于提高充放电效率，延长电池寿命。其高温工作能力也使其适用于密闭或散热受限的环境，如轨道交通、航空航天和石油勘探设备中的电源模块。在高端音频放大器和感应加热设备中，高频开关能力配合低噪声特性，可实现更精确的功率控制与更高的系统响应速度。总之，凡是对效率、体积、散热和可靠性有严苛要求的应用场景，USG135N10均能提供显著的技术优势。

UJ3C135N10K3
　　CCS010010YV1