时间：2025/7/25 10:11:35
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USD545HR2 是一款由UTC（Unisonic Technologies）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和开关应用。该器件采用先进的高压制程技术，具备高耐压、低导通电阻以及良好的热稳定性，适用于各类电源转换设备、马达控制和DC-DC转换器等场合。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(VDS)：500V
最大漏极电流(ID)：5A
导通电阻(RDS(on))：典型值0.45Ω（在VGS=10V）
栅极阈值电压(VGS(th))：2V~4V
最大功耗(PD)：50W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220
极性：N沟道
USD545HR2 采用了先进的高压制造工艺，具有出色的耐压能力和较低的导通损耗。其RDS(on)典型值为0.45Ω，这使得在高电流工作条件下仍能保持较低的功耗，从而提高整体系统效率。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，增强了设备的可靠性和耐用性。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，适用于各种驱动电路设计。其TO-220封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和散热片连接，有助于提高系统的热管理能力。此外，USD545HR2 的开关特性优异，具有快速的上升和下降时间，适合高频开关应用。
在安全性和保护方面，USD545HR2 具备良好的短路和过载保护能力，能够在异常工作条件下保持稳定运行，从而延长设备寿命并降低维护成本。这些特性使其成为电源转换器、马达控制、照明系统和工业自动化设备中的理想选择。
USD545HR2 主要用于中高功率的电源管理应用，包括AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、马达驱动电路、逆变器、LED照明系统以及工业自动化控制设备。此外，该MOSFET也适用于需要高效能和高可靠性的消费类电子产品、家电控制模块和智能电表等应用场合。
K2645, 2SK2645, IRF840, FQA5N50, FDPF5N50U
