您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > MBR20100CT

MBR20100CT 发布时间 时间:2024/6/25 17:37:32 查看 阅读:257

MBR20100CT是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)推出的二极管。下面将为您介绍MBR20100CT的主要特点和应用领域。
  MBR20100CT是一款具有20A额定电流和100V反向电压的二极管。它采用了Schottky结构,因此具有低正向压降和快速开关特性。该二极管采用TO-220AB封装,适合于高功率应用。
  MBR20100CT具有以下主要特点:
  1、高电流承载能力:MBR20100CT具有20A的额定电流,能够承受高功率负载。
  2、低正向压降:该二极管的正向压降较低,能够减少功率损耗,提高系统效率。
  3、快速开关特性:MBR20100CT具有快速开关特性,能够提供快速的反向恢复时间,适用于高频率开关电路。
  4、TO-220AB封装:该二极管采用TO-220AB封装,具有良好的散热性能和机械强度,适合于高功率应用。

应用领域

1、电源管理:MBR20100CT可用于开关电源和逆变器等电源管理应用,提供高效率的电能转换。
  2、电动工具:该二极管适用于电动工具中的电源开关和控制电路,具有高电流承载能力和快速开关特性。
  3、电动车辆充电器:MBR20100CT可用于电动车辆充电器中的整流和反向电压保护,提供稳定的电源输出。
  4、工控设备:该二极管适用于工控设备中的电源开关和逆变器等电路,具有高可靠性和稳定性。

参数和指标

额定电流:20A
  反向电压:100V
  正向压降:0.85V(在额定电流下)

组成结构

MBR20100CT是一款Schottky二极管。它由P型半导体材料和金属接触层组成。P型半导体材料在正向电压下与金属接触层形成一个正向偏置的二极管结构。

工作原理

MBR20100CT的工作原理基于Schottky效应。当正向电压施加在二极管上时,P型半导体材料与金属接触层之间形成一个正向偏置的二极管结构。在这种结构下,电子从半导体材料向金属接触层流动,形成电流通路。由于Schottky结构没有PN结的载流子注入和复合过程,因此具有快速的反向恢复时间和低正向压降。

技术要点

高电流承载能力:MBR20100CT具有20A的额定电流,能够承受高功率负载。
  低正向压降:该二极管的正向压降较低,能够减少功率损耗,提高系统效率。
  快速开关特性:MBR20100CT具有快速开关特性,能够提供快速的反向恢复时间,适用于高频率开关电路。

设计流程

设计MBR20100CT的电路流程通常包括以下步骤:
  确定电路需求和应用场景。
  选择合适的工作参数,如额定电流和反向电压。
  根据电路需求进行二极管的选型。
  进行电路设计和布局布线。
  进行电路模拟和仿真,验证电路性能。
  制作样品并进行实验测试。
  进行电路的优化和调整,直到满足设计要求。

常见故障及预防措施

常见的MBR20100CT故障包括过热、过流和反向电压击穿等。为了预防这些故障,可以采取以下措施:
  合理设计散热系统,确保二极管在正常工作温度范围内运行。
  控制工作电流,避免超过二极管的额定电流。
  使用适当的过流保护装置,以防止电流过大损坏二极管。
  使用逆变器或反向电压保护电路,以防止反向电压击穿。

MBR20100CT推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

MBR20100CT资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

MBR20100CT参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭二极管,整流器 - 阵列
  • 系列SWITCHMODE™
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)850mV @ 10A
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电100µA @ 100V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管)10A
  • 电压 - (Vr)(最大)100V
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 二极管类型肖特基
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 二极管配置1 对共阴极
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 工具箱RECTO220A-KIT-ND - KIT RECTIFIER TO-220 DESIGN
  • 其它名称MBR20100CTOS