类型：双向TVS二极管
　　极性：双向
　　击穿电压（V_BR）：3.3V @ 1mA
　　最大反向关断电压（V_RWM）：3.0V
　　钳位电压（V_C）：8.0V @ I_PP = 8.5A
　　峰值脉冲电流（I_PP）：8.5A
　　峰值脉冲功率（P_PK）：27W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SMA（DO-214AC）
　　安装类型：表面贴装
　　通道数：单通道
　　典型电容值（C_T）：120pF @ 0V
　　漏电流（I_R）：≤ 1μA @ V_RWM

USA1H3R3MDD的核心特性之一是其快速响应能力。由于采用高性能硅PN结结构，该TVS二极管能够在纳秒级时间内响应瞬态过压事件，典型响应时间小于1ns，远快于传统的过压保护器件如压敏电阻或气体放电管。这种极快的响应速度使其能够有效抑制静电放电（ESD）脉冲，符合IEC 61000-4-2 Level 4（±8kV接触放电，±15kV空气放电）标准要求，广泛应用于便携式电子设备中对抗人体模型（HBM）静电冲击。其双向极性设计允许器件在正负两个方向上均提供对称的过压保护，特别适用于处理交流信号线路或可能遭遇反向电压瞬变的场合，例如音频接口、RS-232通信端口或电池供电系统的电源轨。
　　另一个关键特性是其高能量吸收能力和稳定的钳位性能。尽管封装尺寸较小（SMA），USA1H3R3MDD仍能承受高达27W的峰值脉冲功率（基于8/20μs电流波形测试），并在浪涌期间将电压钳制在8.0V以下，从而为低压逻辑电路（如3.3V或5V系统）提供可靠保护。该器件的钳位电压与工作电压之间具有良好的裕量设计，在保证不影响正常信号传输的前提下，留有足够的安全余量以防止被保护器件发生损坏。此外，其低动态电阻特性确保了在大电流导通时电压上升缓慢，进一步提升了保护效果。
　　在电气特性方面，USA1H3R3MDD展现出优异的低漏电流表现（≤1μA @ 3V反向电压），这意味着在正常工作条件下几乎不产生额外功耗，也不会引入显著噪声或信号衰减，非常适合用于待机功耗敏感的应用场景。同时，其典型电容值为120pF，虽不属于超低电容TVS范畴（如<10pF），但仍可胜任多数中低速信号线的保护任务，如按键输入、传感器接口、LED驱动线路等。结合SMA封装的小体积优势（约4.3mm x 2.4mm x 2.1mm），该器件可在有限的PCB布局空间内实现高效防护，支持高密度电路设计。最后，该TVS经过严格的老化筛选和可靠性验证，具备出色的长期稳定性与环境耐受性，可在-55°C至+150°C的宽温范围内稳定运行，满足严苛工业与车载应用的需求。

USA1H3R3MDD常用于各类需要瞬态电压保护的电子系统中，尤其是在低压直流供电或信号传输路径中发挥重要作用。典型应用场景包括便携式消费类电子产品中的USB数据线保护，尤其是USB 2.0接口的D+和D-信号线，可有效抵御用户插拔过程中产生的静电放电（ESD）冲击，避免主控芯片或收发器受损。此外，在智能手机、平板电脑、智能手表等人机交互设备中，该器件可用于保护触摸屏控制器、耳机插孔、充电接口等易受外部干扰的节点。
　　在工业控制系统中，USA1H3R3MDD可用于PLC输入输出模块、传感器信号调理电路以及继电器驱动回路中，抑制因电感负载开关引起的反电动势（Back EMF）或电源波动带来的电压尖峰。对于汽车电子应用，虽然其功率等级不足以应对大型负载突降（Load Dump）事件，但可用于车内信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）、CAN/LIN总线接口等辅助电路的次级保护，提升系统的电磁兼容性（EMC）表现。
　　此外，该TVS还适用于电源管理单元中的辅助电源轨保护，例如LDO输出端、DC-DC转换器反馈网络或微控制器复位引脚等关键位置，防止由于电源扰动导致系统误动作或锁死。在通信设备中，可用于电话线路接口、RS-485/RS-232收发器保护以及以太网PHY前端的次级防护层。总之，任何存在瞬态电压风险且工作电压接近3.3V的电路节点均可考虑使用USA1H3R3MDD作为经济高效的保护方案。

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　　 "SMBJ3.3A",
　　 "P6KE3.3A",
　　 "SR05C",
　　 "TPD3UV06"
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