类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：800V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：8A（单相半波，60Hz）
　　非重复峰值正向电流（IFSM）：150A（半个正弦波，60Hz）
　　正向电压（VF）：典型值1.75V @ 8A, 25°C；最大值1.95V @ 8A, 25°C
　　反向漏电流（IR）：典型值0.5μA @ 25°C, 最大值200μA @ 150°C
　　反向恢复时间（trr）：≈0 ns（无反向恢复电荷）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　热阻（RθJC）：约3.0°C/W
　　封装：TO-220AC

US6K80R的核心优势在于其基于碳化硅（SiC）材料的物理特性所带来的卓越电学表现。首先，该器件没有少数载流子注入效应，因此不存在反向恢复电荷（Qrr = 0）和反向恢复电流尖峰，这极大减少了开关过程中的能量损耗，尤其是在高频操作条件下，能够显著提升电源系统的转换效率。相比之下，传统的硅快恢复二极管或超快恢复二极管在关断时会产生明显的反向恢复电流，导致额外的开关应力和电磁干扰（EMI），而US6K80R完全避免了这一问题。
　　其次，US6K80R具有非常稳定的正向压降特性。尽管其典型VF略高于某些低VF硅二极管，但在高温工况下，碳化硅材料的VF变化较小，不会像硅器件那样出现显著上升，从而保证了高温运行时的效率稳定性。同时，由于碳化硅材料的禁带宽度较大（约为3.2eV），其反向漏电流虽然比低温时有所增加，但仍远低于同等条件下的硅器件，确保了良好的阻断能力。
　　再者，该器件支持高达+175°C的工作结温，使其能够在恶劣的热环境中长期稳定运行，减少了对复杂冷却系统的需求。结合其低热阻封装设计（TO-220AC），可以有效将热量传导至外部散热器，进一步增强可靠性。此外，US6K80R具备优异的抗浪涌能力，可承受高达150A的非重复峰值电流，增强了系统应对瞬态过载的能力。
　　最后，该器件符合RoHS环保要求，并具有良好的机械强度和长期稳定性，适用于严苛工业环境下的长时间连续运行。其标准化的TO-220封装也便于替换现有设计中的硅二极管，实现无缝升级。综上所述，US6K80R凭借其零反向恢复、高温稳定性、高效率和高可靠性，成为现代高效电源系统中不可或缺的关键元件。

US6K80R广泛应用于各类高效率电力电子变换系统中。首先，在功率因数校正（PFC）电路中，特别是升压型（Boost PFC）拓扑结构中，该二极管作为输出整流管使用，因其无反向恢复特性，可大幅降低主开关管（如MOSFET或IGBT）的开通损耗，提升整体系统效率，尤其适用于服务器电源、通信电源及高端消费类电源适配器。
　　其次，在DC-DC转换器中，特别是在LLC谐振转换器或移相全桥拓扑中，US6K80R可用作副边同步整流的辅助二极管或主整流器件，帮助减少环流损耗并抑制电压振荡，提高轻载和满载效率一致性。
　　此外，在光伏（PV）逆变器系统中，US6K80R可用于直流侧防反接保护或MPPT电路中的整流环节，利用其高温耐受能力和长期稳定性，适应户外复杂气候条件。
　　在电动汽车充电设备（EV charger）、UPS不间断电源以及工业电机驱动系统中，该器件同样发挥着重要作用，特别是在需要高功率密度和高开关频率的应用中，其节能效果尤为明显。总体而言，凡是追求高效率、小型化、高可靠性的电源系统，都是US6K80R的理想应用场景。

USS6K80A
　　USS6K80B
　　GS61008P