制造商：SK Hynix
　　产品类型：LPDDR3 SDRAM
　　存储容量：2 Gb（256MB x8 / 128MB x16）
　　电压：1.2V - 1.8V 多电压支持（核心电压 VDD：1.2V，I/O 电压 VDDQ：1.8V 或 1.2V）
　　数据速率：800 Mbps / 1066 Mbps / 1600 Mbps 可选（根据后缀不同而变化）
　　封装类型：BGA（Ball Grid Array）
　　封装尺寸：具体尺寸取决于封装类型（通常为 108-ball 或 134-ball BGA）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C（工业级温度范围）
　　接口类型：单数据速率（SDR）命令/地址总线，双倍数据速率（DDR）数据总线
　　时钟频率：高达 800MHz（对应 1600Mbps 数据速率）
　　刷新机制：自动刷新与自刷新模式
　　封装技术：FBGA（Fine-Pitch BGA）

HY5MS7B6BLFP-6E-C 是一款高性能低功耗 DDR3 SDRAM 内存芯片，具备出色的能效表现和数据传输能力。其低电压设计（1.2V 核心电源和 1.8V 或 1.2V I/O 电压）使其在降低功耗的同时保持较高的数据传输速率，适用于对功耗敏感的移动设备。该芯片支持多种数据速率，最高可达 1600Mbps，满足高端移动设备和嵌入式系统对内存带宽的需求。
　　该芯片采用 FBGA 封装技术，具有良好的热管理和空间利用率，适用于高密度 PCB 设计。其支持自刷新（Self-Refresh）模式，可在设备进入待机状态时显著降低功耗，延长电池续航时间。此外，该芯片还支持温度补偿自刷新（Temperature Compensated Self-Refresh, TCSR）功能，以进一步优化低功耗表现。
　　在操作方面，HY5MS7B6BLFP-6E-C 支持多种突发长度模式和预取机制，提高了数据访问效率，并具备自动预充电和自动刷新功能，减少了控制器的复杂度。其内部延迟锁定环（DLL）技术确保在高速运行时保持稳定的时序控制，提升系统稳定性。
　　该器件广泛应用于需要高性能与低功耗兼顾的嵌入式平台，如智能移动设备、可穿戴设备、工业控制、网络设备和多媒体播放器等。

HY5MS7B6BLFP-6E-C 主要用于以下应用场景：
　　? 高端智能手机和平板电脑
　　? 可穿戴设备与便携式电子产品
　　? 嵌入式系统与工业控制设备
　　? 网络通信设备与多媒体播放器
　　? 高性能图形处理模块与摄像头系统

HY5MS7B6BLFP-6A-C, HY5MS7B6BLFP-6H-C, MT48LC16M16A2B4-6A, K4B2G1646C-BCK0