时间：2025/9/1 20:38:04
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H55S5162EFR-75 是由Hynix（现为SK hynix）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款存储器芯片通常用于需要高速数据存取的应用，例如个人电脑、服务器和嵌入式系统等。H55S5162EFR-75 的设计目标是提供高容量和高性能的存储解决方案，以满足现代计算设备的需求。
容量：256Mb
组织方式：16M x 16
电压：3.3V
访问时间：7.5ns
封装类型：TSOP
引脚数量：54
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
最大工作频率：133MHz
H55S5162EFR-75 是一款同步DRAM芯片，这意味着它的操作与系统时钟同步，从而提高了数据传输效率。该芯片采用TSOP封装技术，这种封装方式有助于减小芯片尺寸，同时提高高频操作的稳定性。此外，H55S5162EFR-75 的访问时间为7.5ns，支持高达133MHz的工作频率，使其在需要快速数据存取的应用中表现出色。
这款DRAM芯片的容量为256Mb，组织方式为16M x 16，适合用于需要较大存储空间的设备。其3.3V的工作电压使其能够在较低功耗下运行，同时保持高性能。H55S5162EFR-75 还支持自动刷新和自刷新模式，确保数据在不连续访问的情况下仍然保持完整。
此外，H55S5162EFR-75 的工业级工作温度范围（-40°C至+85°C）使其适用于各种苛刻环境下的应用，包括工业控制系统和嵌入式设备。
H55S5162EFR-75 常用于需要高性能存储解决方案的设备中，例如个人电脑、笔记本电脑、服务器和嵌入式系统。由于其高速数据存取能力和较低的功耗，这款DRAM芯片也适用于工业控制系统、网络设备和消费类电子产品。其TSOP封装形式使其适合在空间受限的设备中使用。
H57V5162EFR-75
MT48LC16M2A2B4-75
