H55S5162EFR-75 是由Hynix(现为SK hynix)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款存储器芯片通常用于需要高速数据存取的应用,例如个人电脑、服务器和嵌入式系统等。H55S5162EFR-75 的设计目标是提供高容量和高性能的存储解决方案,以满足现代计算设备的需求。
容量:256Mb
组织方式:16M x 16
电压:3.3V
访问时间:7.5ns
封装类型:TSOP
引脚数量:54
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
最大工作频率:133MHz
H55S5162EFR-75 是一款同步DRAM芯片,这意味着它的操作与系统时钟同步,从而提高了数据传输效率。该芯片采用TSOP封装技术,这种封装方式有助于减小芯片尺寸,同时提高高频操作的稳定性。此外,H55S5162EFR-75 的访问时间为7.5ns,支持高达133MHz的工作频率,使其在需要快速数据存取的应用中表现出色。
这款DRAM芯片的容量为256Mb,组织方式为16M x 16,适合用于需要较大存储空间的设备。其3.3V的工作电压使其能够在较低功耗下运行,同时保持高性能。H55S5162EFR-75 还支持自动刷新和自刷新模式,确保数据在不连续访问的情况下仍然保持完整。
此外,H55S5162EFR-75 的工业级工作温度范围(-40°C至+85°C)使其适用于各种苛刻环境下的应用,包括工业控制系统和嵌入式设备。
H55S5162EFR-75 常用于需要高性能存储解决方案的设备中,例如个人电脑、笔记本电脑、服务器和嵌入式系统。由于其高速数据存取能力和较低的功耗,这款DRAM芯片也适用于工业控制系统、网络设备和消费类电子产品。其TSOP封装形式使其适合在空间受限的设备中使用。
H57V5162EFR-75
MT48LC16M2A2B4-75