类型：肖特基二极管
　　封装：SOD-123FL
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：35V
　　最大直流阻断电压（VR）：35V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：1A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A（8.3ms半正弦波）
　　最大正向电压降（VF）：670mV @ 1A（典型值）
　　最大反向漏电流（IR）：400μA @ 25°C, 35V
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　热阻抗（RθJA）：约200°C/W（依PCB布局而定）
　　反向恢复时间（trr）：≤ 10ns（典型值）

US5U35的核心优势在于其采用了先进的肖特基势垒技术，实现了极低的正向导通压降与高效的能量转换性能。在1A电流下，其典型正向压降仅为670mV，显著低于传统PN结二极管，从而有效降低了功率损耗并提升了系统整体效率。这一特性尤其适用于对能效要求较高的低压大电流应用场景，如电池供电设备或高密度电源模块。
　　该器件具备非常快的反向恢复时间（trr ≤ 10ns），几乎无少子存储效应，因此在高频开关电路中表现出色，能够减少开关噪声和电磁干扰（EMI），提升系统的动态响应能力。这使得US5U35成为DC-DC转换器、同步整流辅助电路和开关电源次级侧整流的理想选择。
　　SOD-123FL封装具有较小的外形尺寸（约2.7mm x 1.6mm x 1.1mm），支持自动化贴片生产，适合高密度PCB布局。同时，该封装优化了热传导路径，提高了散热效率，在有限的空间内仍可维持良好的热稳定性。此外，US5U35通过了AEC-Q101车规认证的部分测试条件，具备一定的工业级和汽车电子应用潜力。
　　器件的工作结温范围为-55°C至+125°C，可在恶劣环境条件下可靠运行。其反向漏电流控制良好，在常温下最大为400μA@35V，高温环境下也保持相对稳定，确保电路长期工作的安全性。产品符合无铅和RoHS指令要求，支持绿色制造流程。综合来看，US5U35凭借其高性能、小体积和高可靠性，已成为现代电子设计中广泛采用的基础功率器件之一。

US5U35广泛应用于多种电源管理和信号处理电路中。常见用途包括作为DC-DC升压或降压转换器中的续流二极管（Flyback Diode），用于防止电感反电动势损坏主控芯片；也可用于反向电压保护电路，防止电源接反而损坏后级负载，特别适用于USB供电、移动设备充电管理等场景。
　　在AC-DC适配器和离线式电源的次级整流环节中，US5U35因其低VF特性可提高转换效率，减少发热，替代部分快恢复二极管使用。此外，它还常用于OR-ing电路（电源冗余切换）、电池充放电管理、太阳能板旁路二极管以及各类消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居设备中的电源路径控制。
　　由于其高频响应能力强，该器件也适用于脉冲宽度调制（PWM）驱动电路中的箝位和能量回馈功能，例如电机驱动或LED恒流源中的续流回路。在汽车电子领域，可用于车身控制模块、车载充电器和小功率ECU供电单元中进行电压隔离与保护。
　　此外，US5U35的小型化封装使其非常适合空间受限的应用场合，如可穿戴设备、物联网终端和微型传感器节点等。结合其稳定的电气性能和成熟的供应链体系，该型号已成为工程师在中低端功率整流设计中的常用选型之一。

1N5819WS-13-F
　　B130A-13-F
　　SS14-HF
　　MBR130T1G