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US5U2TR 发布时间 时间:2025/11/7 19:19:11 查看 阅读:43

US5U2TR是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的表面贴装肖特基二极管,广泛应用于各种电子设备中,特别是在需要高效能、低功耗的场合。该器件采用SOD-123FL超小型封装,具有紧凑的外形和优良的电气性能,适用于空间受限的便携式电子产品设计。US5U2TR的主要功能是实现单向电流导通,利用其较低的正向电压降(VF)来减少功率损耗,同时具备快速开关特性,适合高频整流、反向极性保护、续流二极管以及电源管理电路中的应用。该二极管的最大重复峰值反向电压(VRRM)为200V,能够承受较高的瞬态电压冲击,确保系统在恶劣电气环境下稳定运行。由于其出色的热稳定性和可靠性,US5U2TR常用于消费类电子、工业控制、通信设备及汽车电子等领域。此外,该器件符合RoHS环保标准,并通过了无卤素认证,满足现代绿色制造的要求。其卷带包装形式(Tape and Reel, TR)便于自动化贴片生产,提高了大规模制造效率。

参数

型号:US5U2TR
  制造商:STMicroelectronics
  封装/外壳:SOD-123FL
  二极管类型:肖特基
  最大重复峰值反向电压 VRRM:200V
  最大直流阻断电压 VR:200V
  平均整流电流 IO:5A
  正向压降 VF(典型值):850mV @ 5A
  最大正向压降 VF:1.1V @ 5A
  最大反向漏电流 IR:200μA @ 200V
  工作结温范围 TJ:-65°C ~ +150°C
  存储温度范围 TSTG:-65°C ~ +150°C
  反向恢复时间 trr:<30ns
  安装类型:表面贴装(SMD)
  包装方式:卷带编带(Tape and Reel)
  是否符合RoHS:是

特性

US5U2TR是一款高性能的肖特基势垒二极管,其核心优势在于结合了高反向耐压与大电流承载能力,在同类SOD-123FL封装产品中表现出色。传统上,肖特基二极管受限于较低的反向击穿电压,通常不超过100V,而US5U2TR实现了高达200V的VRRM,这得益于STMicroelectronics在半导体材料工艺和结构设计上的优化,使其能够在保持低正向压降的同时提升反向阻断能力。这种特性使得它不仅可用于常规低压整流场景,还能胜任一些中等电压等级的应用,如开关电源次级侧整流、DC-DC转换器输出整流或电池充放电路径控制。
  该器件在5A电流下的典型正向压降仅为850mV,最大不超过1.1V,显著低于普通PN结二极管(通常在1.2V以上),从而有效降低导通损耗,提高整体能效。这对于高密度电源设计尤为重要,尤其是在便携式设备中,有助于减少发热并延长续航时间。同时,其极短的反向恢复时间(trr < 30ns)意味着几乎没有反向恢复电荷(Qrr),避免了高频切换过程中产生的额外开关损耗和电磁干扰(EMI),因此特别适合工作频率较高的开关模式电源(SMPS)、PWM调光电路及逆变器拓扑结构。
  SOD-123FL封装具有极小的占位面积(约2.7mm x 1.6mm)和低热阻特性,有利于PCB空间节省并支持良好的散热性能。器件的工作结温范围宽达-65°C至+150°C,具备优异的环境适应性,可在极端温度条件下可靠运行,适用于工业级甚至部分汽车级应用场景。此外,US5U2TR具备良好的浪涌电流承受能力,能短暂应对突发的大电流冲击,增强了系统的鲁棒性。整体而言,这款二极管在效率、尺寸、可靠性和成本之间取得了良好平衡,是现代高效电源设计中的理想选择之一。

应用

US5U2TR因其高效率、小尺寸和高可靠性,被广泛应用于多种电子系统中。在消费类电子产品中,它常用于手机充电器、笔记本电脑适配器、USB-PD电源模块等开关电源的次级整流环节,以提升转换效率并减小发热。在工业电源领域,该器件适用于AC-DC和DC-DC转换器中的输出整流、OR-ing二极管配置以及反接保护电路,保障系统在复杂电网环境下的稳定运行。通信设备中的板载电源(Point-of-Load, POL)也大量采用此类高效二极管来优化能量传输效率。
  在LED照明驱动电源中,US5U2TR可用作续流二极管,在电感储能释放时提供低损耗回路,防止电压反冲损坏主控芯片。其快速响应特性也有助于改善动态负载响应表现。在太阳能逆变器或小型光伏系统中,该二极管可作为防反二极管使用,防止电池在夜间或阴天时发生倒灌放电,从而保护能源存储单元。
  汽车电子方面,尽管未明确标注为AEC-Q101认证器件,但其宽温特性和高可靠性使其可用于非关键性的车载电源模块,如车载充电器、行车记录仪、倒车雷达供电电路等。此外,在电机驱动电路中,US5U2TR可充当飞轮二极管,为感性负载(如继电器、电磁阀)断电时产生的反电动势提供泄放路径,避免高压击穿控制元件。综上所述,US5U2TR凭借其综合性能优势,已成为众多高效、紧凑型电源设计中的关键元器件之一。

替代型号

SS5P2L
  MBR5U20CT
  SB5200
  VS-5AUP200

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US5U2TR参数

  • 产品培训模块MOSFETs
  • 特色产品ECOMOS? Series MOSFETs
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点二极管(隔离式)
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C240 毫欧 @ 1.4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs2nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds70pF @ 10V
  • 功率 - 最大700mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TUMT5
  • 供应商设备封装TUMT5
  • 包装带卷 (TR)