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GJM1555C1H7R8BB01D 发布时间 时间:2025/7/5 0:57:44 查看 阅读:17

GJM1555C1H7R8BB01D 是一款高性能的射频功率晶体管,主要用于无线通信和雷达系统中的信号放大。该器件采用先进的半导体工艺制造,能够在高频段提供高增益和高效率,同时具备出色的线性度和稳定性。其设计适用于多种工作条件下的射频功率放大需求。

参数

型号:GJM1555C1H7R8BB01D
  类型:射频功率晶体管
  频率范围:2 GHz 至 6 GHz
  输出功率:40 W(典型值)
  增益:12 dB(典型值)
  效率:60%(典型值)
  最大集电极电流:8 A
  封装形式:陶瓷密封金属盖封装
  工作温度范围:-55°C 至 +100°C

特性

GJM1555C1H7R8BB01D 提供了卓越的射频性能,具有较高的功率输出和增益。它采用了创新的热管理设计,确保在高功率操作时保持稳定的性能。此外,该晶体管还具有良好的抗静电能力,减少了因静电放电导致的损坏风险。
  此器件非常适合需要高可靠性、高效率和宽动态范围的应用场景。其线性度表现优异,能够满足现代通信系统对低失真的严格要求。
  由于其宽广的工作频率范围,GJM1555C1H7R8BB01D 可以灵活应用于多种不同的射频设备中,包括蜂窝基站、卫星通信和军事雷达等。

应用

该芯片广泛应用于无线通信领域,例如:
  1. 蜂窝基站放大器
  2. 军用及民用雷达系统
  3. 卫星通信设备
  4. 点对点微波链路
  5. 工业、科学和医疗 (ISM) 频段设备
  GJM1555C1H7R8BB01D 的高频和大功率特性使其成为这些复杂系统的理想选择。

替代型号

GJM1555C1H7R8BB02D, GJM1555C1H7R8BB03D

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GJM1555C1H7R8BB01D参数

  • 特色产品High Frequency - High Q Capacitors
  • 标准包装10,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列GJM
  • 电容7.8pF
  • 电压 - 额定50V
  • 容差±0.1pF
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 尺寸/尺寸0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.022"(0.55mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-