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US5U1TR 发布时间 时间:2025/6/27 7:55:17 查看 阅读:9

US5U1TR 是一款由安森美(onsemi)推出的超低功耗、高精度的线性霍尔效应传感器芯片。该器件能够在宽电压范围内提供稳定的模拟电压输出,用于检测磁场强度的变化。US5U1TR 采用小型 SOT-23 封装,适合空间受限的应用场景。
  US5U1TR 的主要功能是将磁通密度转化为成比例的电压信号输出,具有良好的温度稳定性和抗应力能力。它适用于需要精确测量磁场或位置的工业和消费类应用。

参数

供电电压:2.8V 至 5.5V
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  灵敏度:2.5 mV/Gauss
  静态工作电流:7 μA(典型值)
  带宽:5 Hz
  输出阻抗:60 kΩ(最大值)
  响应时间:200 ms
  封装形式:SOT-23

特性

US5U1TR 的设计使其非常适合低功耗应用场景。以下是其主要特性:
  1. 超低功耗:静态电流仅为 7 μA,能够显著延长电池供电设备的使用寿命。
  2. 高灵敏度:2.5 mV/Gauss 的灵敏度确保了对微弱磁场变化的精准检测。
  3. 宽电源电压范围:支持 2.8V 至 5.5V 的供电电压,兼容多种电源系统。
  4. 温度稳定性:即使在极端温度条件下,也能保持输出的一致性和可靠性。
  5. 小型封装:SOT-23 封装节省空间,便于集成到紧凑型设计中。
  6. 高可靠性:具备出色的抗应力能力,适合恶劣环境下的长期使用。
  这些为需要高性能和低功耗的磁场传感应用的理想选择。

应用

US5U1TR 广泛应用于以下领域:
  1. 工业自动化:用于检测电机转速、位置反馈等。
  2. 消费电子:如手机翻盖检测、平板电脑开合状态监测等。
  3. 汽车电子:可用于座椅调节、踏板位置检测等非接触式位移测量。
  4. 医疗设备:例如注射泵中的活塞位置监控。
  5. 家用电器:如冰箱门开关状态检测。
  6. 机器人技术:关节角度检测或方向感知。
  由于其低功耗和高精度特点,US5U1TR 在任何需要精确磁感应且注重能耗控制的场合都有广泛的应用前景。

替代型号

US5851T, MLX90392

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US5U1TR参数

  • 特色产品ECOMOS? Series MOSFETs
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点二极管(隔离式)
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C240 毫欧 @ 1.5A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs2.2nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds80pF @ 10V
  • 功率 - 最大700mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TUMT5
  • 供应商设备封装TUMT5
  • 包装带卷 (TR)